核心摘要
明年1c DRAM产量将扩大8倍
高性价比DRAM需求增长
明年利川工厂1c DRAM产能：从月产2万片晶圆增至16万片
用于英伟达HBM4的10nm第5代DRAM也将扩产
AI趋势从“训练”转向“推理”，针对市场格局变化通过30万亿韩元投资决胜负
SK海力士计划在明年将最先进的通用DRAM——10纳米（nm）级第6代DRAM（1c DRAM）的产能提升八倍以上。这是因为随着人工智能（AI）的重心从需要高性能内存的“训练”阶段转移到“推理”（服务）阶段，比高带宽内存（HBM）更具性价比的最先进通用DRAM的需求正在增长。SK海力士决定增加基于1c DRAM的最新图形DRAM（GDDR7）和低功耗DRAM模组（SOCAMM2）的产量，以应对英伟达等大型科技公司的订单。
明年1c DRAM月产增加14万片
20日，据半导体业界透露，SK海力士决定明年通过京畿道利川园区的工艺转换，将1c DRAM的产能以300mm（约12英寸）晶圆为基准，每月增加14万片。业界相关人士表示：“月增14万片是最小增幅，据了解，SK海力士正在探讨将增幅扩大至月产16万~17万片的方案。”
SK海力士计划到今年年底首先具备月产2万片左右的1c DRAM产能。从明年开始加快工艺转换速度，计划到年底将14万~17万片的产能额外分配给1c DRAM生产。这样一来，SK海力士的1c DRAM产能将从今年年底的2万片扩大到明年的16万~19万片。考虑到目前SK海力士的月平均DRAM晶圆投入量约为50万片，这相当于将整个DRAM产能的32%以上分配给了最先进的1c DRAM。
此外，SK海力士还将同步扩建用于明年正式向英伟达供货的第6代高带宽内存（HBM4）所需的10nm第5代DRAM（1b DRAM）。今年年底在忠北清州园区启用的新工厂“M15X”将引入月平均投入6万片晶圆的1b DRAM生产线。业界预测，考虑到SK海力士激进的DRAM投资速度，预计今年约25万亿韩元的设备投资额在明年将大幅超过30万亿韩元。
乘上“AI内存超级周期”的东风
SK海力士的1c DRAM并不用于HBM，而是用于制造双倍数据速率5（DDR5）、低功耗DRAM（LPDDR）、GDDR7等最新的通用DRAM。尽管SK海力士已将1c DRAM的良率（成品率）提升至80%以上，但此前判断HBM的需求增长幅度大于通用DRAM，因此将生产能力集中投入到了HBM上。
SK海力士之所以将目光重新转向通用DRAM，是因为判断AI内存产业的格局正在发生变化。随着曾集中于训练的AI模型扩展到推理领域，预计通用DRAM的需求将像HBM一样增长。与HBM相比，AI推理主要使用电力效率更高且价格更低廉的最先进通用DRAM。
英伟达最近推出的AI加速器“Rubin CPX”就是此类产品。在该AI加速器中，处理器旁边搭载的不是HBM，而是GDDR。谷歌、OpenAI、亚马逊网络服务（AWS）等开发自主AI芯片的大型科技公司也在开发大量搭载通用DRAM的定制型AI加速器。
1c DRAM还将用于向英伟达供货的内存模组SOCAMM2。SOCAMM是由英伟达主导的AI服务器及PC用内存模组标准，虽然带宽低于HBM，但具有电力效率高的优点。英伟达计划将其自主开发的中央处理器（CPU）“Vera”旁边配置SOCAMM2。业界预计，如果按计划进行，SK海力士将拿下该领域一定水平的订单量。
