重点摘要
价格目标：三星电子的HBM4 目标是与SK 海力士达成相同价格（约 500 美元中段），大幅提高盈利，并结束 HBM3E 上的价格劣势。
市场地位： 凭借其 HBM4 在性能上的优势（如1c DRAM + 4nm），三星在与英伟达的谈判中占据了更有利的地位。
出货提速： 三星 HBM4 的大规模供货时间可能提前至明年第二季度，而非原先预期的下半年。
产能建设： 三星计划到明年底将 HBM4 关键组件 1c DRAM 产能提升至每月 15 万片晶圆，以满足长期需求。
良率问题：目前三星电子1c DRAM在HBM4标准下的良率维持在50%
与英伟达价格谈判进入尾声
据业界透露，三星电子目前正在与英伟达就明年的HBM4价格进行谈判。据悉，英伟达在与SK海力士结束明年供应合同的一周后，就将三星电子拉到了谈判桌前。目前谈判已进入最后阶段，预计将在年内最终确定。
一位熟悉公司情况的相关人士表示：“目前内部判断HBM4的速度等主要性能优于SK海力士的产品，虽然前代产品HBM3E 12层堆叠向英伟达提出了相对较低的价格，但HBM4的目标是以与SK海力士相同的单价签订合同。”
据悉，SK海力士最近与英伟达签订的HBM4供应价格约为500美元中段。考虑到SK海力士的HBM3E 12层堆叠价格在300美元中段水平，这意味着价格上涨了50%以上。SK海力士将HBM4的基座芯片（Base Die）交给台积电（TSMC）生产，导致总成本比前代产品上涨了30%，但通过获得相应的价格溢价，大大抵消了成本压力。
业界普遍认为，两家公司以相似价格供应HBM4的可能性很高。一位半导体行业相关人士表示：“英伟达对HBM4的需求非常高，因此也只能以高价获得三星电子的供货。”他接着补充道：“目前来看，三星电子没有降价的理由。即使价格稍低，差距也不会太大。”这表明三星电子在本次谈判中占据了相对有利的地位。
如果实现，HBM3E上存在的巨大价格差异将在下一代产品中得到解决。目前，三星电子的HBM3E交易价格比SK海力士低约30%。前述相关人士解释：“此前，三星电子为供应给英伟达而准备的HBM3E订单因认证延迟未能出货，因此急于将产品处理给了其他大型科技公司。这些产品不得不以相当低廉的价格出售，从而拉低了平均单价。”据悉，三星电子的HBM3E产品价格在200美元中段水平。
1c DRAM产能大幅扩产
三星电子也在加快扩充1c DRAM产能，以应对未来需求的扩大。但其选择了循序渐进的策略，而不是在短期内急剧增加。这是因为三星电子将提高明年盈利能力作为首要任务，因此在通用DRAM生产上的比重大于HBM。其目标是将目前每月2万片晶圆水平的1c DRAM产能，在明年底之前提高到每月15-20万片水平。
前述公司相关人士解释：“我们计划明年新增每月8万片1c DRAM产能，如果加上将现有成熟工艺产线转为1c的产能，明年可以为HBM4分配每月15万片的产能。”
出货或提前到明年二季度
HBM样品分为WD（Working Die）、ES（Engineering Sample）、CS（Customer Sample）阶段。三星电子已于今年9月向英伟达交付了ES样品，认证通过与否将于本月决定。如果获得批准，必须立即提交量产形式的样品，完成这一流程后，明年年初将得出最终的认证（Qualification）结果。
业界最初预计，即使三星电子在明年年初通过最终认证后立即投入量产，产品出货时间也将在明年下半年。但最近由于英伟达对HBM4需求的激增，也有预测认为三星电子最早可能从明年第二季度开始供货。在这种情况下，SK海力士将独占英伟达上半年HBM4订单的现有格局将被动摇，两家公司之间的差距将从半年缩短到一个季度。
平衡性能和良率
目前，三星电子1c DRAM在HBM4标准下的良率维持在50%。另一位半导体行业相关人士表示：“最大的课题不是质量，而是良率。”他还补充说：“虽然也提出了发热的担忧，但已得到相当程度的改善。包括英伟达在内的主要客户更看重速度而非发热，因此这不会是太大的问题。”
三星电子的HBM4采用了核心芯片（Core Die）应用1c DRAM、逻辑芯片（Logic Die）应用4纳米（nm）代工工艺的结构。与竞争对手相比，应用了更先进的工艺，因此在速度和功耗效率方面具有优势，但也可能带来发热负担。
