2025年5月1日，台积电在加州圣克拉拉举办的技术研讨会上，副总裁暨共同首席运营官米玉杰博士介绍了A14工艺节点以外的技术创新，要点如下：
一、晶体管架构创新
1. 技术演进路径：从FinFET转向纳米片（Nanosheet），未来将推进垂直堆叠NFET/PFET的互补场效应晶体管（CFET）技术，进一步突破物理缩放极限。
2. CFET技术进展：
- 2023年IEDM展示48nm栅极间距的CFET晶体管，2024年IEDM推出最小CFET反相器，在1.2V电压下实现均衡性能，为未来缩放奠定基础。
3. 二维（2D）沟道材料：
- 基于单层二硫化钼（MoS₂）和二硒化钨（WSe₂）的堆叠纳米片架构，首次实现电学性能验证，反相器在1V电压下工作，利用原子级超薄特性突破硅基电子物理极限。
二、互连技术与材料创新
1. 铜互连优化：
- 采用新型通孔方案降低通孔电阻和耦合电容，开发新型铜阻挡层以减少铜线电阻。
2. 新型金属材料：
- 含气隙的新型金属材料可进一步降低电阻和电容；插层石墨烯（Intercalated Graphene）作为潜在材料，有望显著减少互连延迟，提升性能。
三、未来规划
持续推进晶体管架构与互连技术创新，计划在未来两个月内于全球举办系列技术研讨会，深化先进制程与封装技术布局。
