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University of Texas at Dallas:集成电路领域研究方向

University of Texas at Dallas:集成电路领域研究方向 IP Liberator
2025-11-06
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导读:引言University of Texas at Dallas (UTD) 是位于美国德克萨斯州理查德森市的一

引言

University of Texas at Dallas (UTD) 是位于美国德克萨斯州理查德森市的一所世界顶尖研究型大学,隶属于德克萨斯大学系统(1)。该校成立于 1969 年,前身为德州仪器 (Texas Instruments) 的研究机构,因此与半导体产业保持着深厚的历史渊源和紧密的合作关系。UTD 在集成电路领域的研究实力尤为突出,其Texas Analog Center of Excellence (TxACE) 是全球最大的基于学术机构的模拟研究中心(137)

UTD 坐落在达拉斯 沃斯堡都会区的 "电信走廊",周边聚集了德州仪器、AT&T、三星、思科、华为、中兴等众多知名科技企业(1),为学生和研究人员提供了得天独厚的产业合作环境。该校被卡内基分类法评为研究型大学最高级别 (R1),在集成电路设计、半导体器件、系统设计等领域开展着前沿研究。

本文将从理论研究和应用研究两个维度,系统分析 UTD 在集成电路领域的研究方向、核心技术特色和未来发展趋势,并通过对比表格形式进行整理,为相关研究人员和产业界人士提供全面的参考。

一、机构架构与研究基础

1.1 核心研究机构

UTD 在集成电路领域的研究主要集中在Erik Jonsson 工程与计算机科学学院,该学院下设电气与计算机工程系 (ECE) 是核心研究单位(72)。学院提供电气工程、计算机工程、计算机科学等多个相关学位项目,其中电气工程硕士项目涵盖了电路、计算系统、器件、电力电子与能源系统、信号与系统五大研究方向(57)

UTD 拥有多个世界级的研究中心和实验室,构成了完整的集成电路研究生态系统:

研究机构

性质

研究重点

特色优势

Texas Analog Center of Excellence (TxACE)

校级研究中心

模拟、混合信号、射频集成电路设计

全球最大的学术机构模拟研究中心(137)

Center for Harsh Environment Semiconductor Systems (CHESS)

校级研究中心

极端环境下的半导体材料、器件和系统

专注于高温、辐射、机械冲击等恶劣环境(60)

Integrated Power System Laboratory (IPSL)

系级实验室

集成电源 IC、宽禁带功率电子、汽车电子

 NSFSRCDARPATI 等机构资助

Design Automation and Reconfigurable Computing Laboratory (DARCLAB)

系级实验室

VLSI 设计自动化、可重构计算

推动高层次综合 (HLS) 技术发展

Embodied AI Circuits, Architectures, and Systems Lab (EACAS)

新兴实验室

AI 硬件加速器、神经形态计算

2025 年新成立,专注于人脑启发计算(81)

Cleanroom Research Laboratory

共享设施

微电子、电子材料、纳米技术、MEMS

配备垂直层流洁净室和先进半导体工艺设备(37)

1.2 师资力量与研究团队

UTD 在集成电路领域拥有一支实力雄厚的师资队伍,其中包括多位IEEE 会士 (Fellow)德州仪器杰出教授等知名学者(44)。以下是部分核心研究人员及其研究方向:

Dr. Dongsheng Brian Ma微电子杰出教授,领导集成电源系统实验室,研究方向包括集成电源 IC、宽禁带功率电子、汽车电子、模拟与混合信号电路

Dr. Kenneth O德州仪器模拟电路与系统杰出教授TxACE 实验室主任,是模拟电子学领域的权威专家

Dr. Yun ChiuErik Jonsson 杰出教授,德州模拟卓越中心模拟与混合信号 IC 设计实验室创始主任,在数据转换器和模拟电路设计领域享有盛誉(49)

Dr. Benjamin Carrion Schaefer:助理教授,DARCLAB 实验室主任,专注于 VLSI 设计自动化和高层次综合

Dr. Dian Zhou:教授,研究方向包括高速 VLSI 系统、CAD 工具、混合信号 IC 和算法(78)

Dr. Ron RohrerGURI 研究教授,材料科学与工程系,电路仿真领域的先驱,SPICE 仿真工具的开发者之一

Dr. Kanad Basu:助理教授,领导可信智能嵌入式系统 (TIES) 实验室,研究方向包括反病毒硬件、量子电路设计(51)

二、理论研究方向

2.1 集成电路设计理论与方法学

UTD 在集成电路设计理论方面的研究涵盖了从系统级到电路级的全层次设计方法学。Carl Sechen 教授的研究团队专注于数字集成电路的全局功耗最小化,包括漏电功耗控制、变分灵敏度降低和良率提升,同时也涉及单元库优化等关键技术(30)

在设计自动化领域,DARCLAB 实验室提出了革命性的设计理念,致力于完全脱离 Verilog 或 VHDL 等低级硬件描述语言,仅使用 C/C++SystemCPython 或 Matlab 等高级语言构建硬件电路。这种方法学的创新将大大提高设计效率,降低设计复杂度,特别适合复杂系统的快速原型开发。

Dr. Dian Zhou的研究聚焦于模拟 VLSI 的电路与系统设计自动化,包括模拟电路设计自动化的算法开发和工具实现(73)。该研究方向对于解决模拟电路设计的自动化难题具有重要意义,特别是在人工智能辅助设计日益重要的今天。

2.2 半导体器件物理与新材料

UTD 的器件物理研究涵盖了传统 CMOS 器件和新兴器件技术。在宽禁带半导体领域,研究重点包括 **GaN (氮化镓)SiC (碳化硅)** 器件,这些材料在高功率、高频率应用中具有显著优势。研究内容涉及器件建模、工艺优化、可靠性评估等多个方面。

量子器件方面,UTD 的量子中心开发了基于 ** 氢脱钝化光刻 (HDL)** 方法的原子级精确制造技术,用于固态量子器件的制造(86)。这一技术对于量子计算和量子通信器件的发展具有重要意义。

神经形态器件是另一个重要研究方向,研究团队致力于开发能够模拟人脑神经元和突触功能的新型器件,为神经形态计算提供硬件基础(80)。这类器件在低功耗人工智能应用中展现出巨大潜力。

2.3 低功耗设计理论与技术

低功耗设计是 UTD 集成电路理论研究的核心方向之一。研究内容包括:

超低功耗电路设计:针对物联网 (IoT) 应用的超低功耗混合信号电路,包括计时器、时钟源、传感器和接口电路

功耗优化算法:数字集成电路的全局功耗最小化算法,特别关注漏电功耗的控制(30)

动态功耗管理:基于工作负载的动态电压频率调节 (DVFS) 技术,以及细粒度电压域的集成电压调节

能量收集电路:用于可穿戴设备和物联网节点的能量收集与管理电路,包括太阳能、振动、温差等多种能量源(91)

2.4 电路与系统理论

UTD 在电路与系统理论方面的研究涵盖了模拟、数字和混合信号系统的理论基础。在模拟系统方面,研究重点包括高性能运算放大器设计、滤波器理论、数据转换器架构等(73)。在数字系统方面,研究内容包括高速串行链路、时钟和数据恢复电路、片上网络等。

混合信号系统的研究尤为突出,涉及模数转换器 (ADC)、数模转换器 (DAC)、锁相环 (PLL)Delta-Sigma 调制器等关键电路的理论分析和设计优化。这些电路是连接模拟世界和数字世界的桥梁,在通信、音频、传感器接口等应用中不可或缺。

三、应用研究方向

3.1 数字集成电路设计

UTD 在数字集成电路设计方面的研究覆盖了从基础单元到复杂系统的全产业链。在高速电路设计方面,研究重点包括:

高速串行链路:针对 100Gbps 以上数据传输的高速接口电路设计,包括 PAM-4 调制、均衡器、时钟和数据恢复电路

低功耗逻辑设计:采用逻辑努力方法的静态、传输门和动态逻辑设计,以及复杂门电路、锁存器、触发器的设计与布局(38)

处理器架构:专用处理器和加速器的设计,包括神经网络处理器、密码处理器等

存储器设计:高速缓存、寄存器文件、内容可寻址存储器 (CAM) 等存储电路的设计优化

Dr. Kanad Basu TIES 实验室在数字电路安全方面开展了创新研究,开发了反病毒硬件架构,通过硬件级别的安全机制保护系统免受恶意软件攻击(51)

3.2 模拟与射频集成电路

模拟和射频集成电路是 UTD 的传统优势领域,特别是在 **Texas Analog Center of Excellence (TxACE)** 的推动下,研究水平处于世界领先地位。主要研究方向包括:

研究领域

具体内容

技术特色

应用前景

数据转换器

高速高精度 ADC/DACDelta-Sigma 转换器、流水线 ADC

低功耗、高分辨率、宽动态范围

通信、音频、仪器仪表

射频前端

LNA、混频器、VCO、功率放大器

毫米波频段 (180GHz315GHz)、高集成度

5G/6G 通信、雷达、成像

模拟前端

仪表放大器、滤波器、PGA

低噪声、高增益、可编程

传感器接口、生物医学

电源管理

LDODC-DC 转换器、无线功率传输

高效率、高集成度、智能控制

移动设备、物联网、电动汽车

TxACE 研究致力于在集成电路和系统中创造根本性的模拟、混合信号和射频设计创新,重点改善能效、医疗保健和公共安全(72)2019 年,TxACE 研究人员发表了 25 篇期刊论文、68 篇会议论文,并做了 次邀请报告(53),展现了强大的研究实力。

3.3 混合信号集成电路

混合信号集成电路是连接模拟和数字世界的关键技术,UTD 在这一领域的研究具有鲜明特色:

智能化混合信号系统:集成了模拟信号处理、数字信号处理和智能算法的混合信号系统,如智能 ECG 传感器

片上系统集成:将模拟前端、ADC/DAC、数字信号处理器、存储器等集成在单一芯片上

低功耗混合信号设计:针对物联网应用的超低功耗混合信号电路,功耗可低至微瓦级别

无线通信电路:集成了射频前端、基带处理、数字信号处理的完整无线通信解决方案

3.4 专用集成电路 (ASIC) 与片上系统 (SoC)

UTD 在专用集成电路和片上系统设计方面的研究重点包括:

ASIC 设计方法学:从系统规范到物理实现的完整 ASIC 设计流程,包括行为建模、逻辑综合、布局布线等

系统级芯片 (SoC):集成处理器、存储器、外设接口、模拟电路等多种功能模块的复杂 SoC 设计

硬件加速:针对特定应用 (如人工智能、密码学、信号处理的硬件加速器设计

可重构计算:基于 FPGA 的可重构计算架构,能够根据应用需求动态改变硬件功能

3.5 功率集成电路

功率集成电路是 UTD 的另一个重要研究方向,特别是在宽禁带功率半导体领域处于国际领先地位。** 集成功率系统实验室 (IPSL)** 的研究重点包括:

硅基功率 IC:用于数据中心、物联网、便携式电子设备的高效率功率管理 IC

GaN/SiC 功率器件:基于氮化镓和碳化硅的高功率、高频率功率转换器,具有更高的效率和功率密度

汽车电子:电动汽车驱动系统、车载充电器、DC-DC 转换器等汽车级功率电子产品

无线功率传输:高效率无线充电系统,包括磁共振耦合、射频功率传输等技术(91)

四、新兴技术方向与未来发展趋势

4.1 人工智能与神经形态计算硬件

人工智能的快速发展对硬件加速提出了迫切需求,UTD 在这一领域的研究呈现出多元化趋势:

神经形态计算是一个重要发展方向,通过模拟人脑的神经元和突触结构,实现高效的智能信息处理(80)EACAS 实验室专注于推进以人为中心和人脑启发的计算系统,研究内容包括:

神经形态处理器架构,支持脉冲神经网络 (SNN) 的硬件实现

存算一体架构,将计算和存储集成在同一单元中,减少数据移动开销

超低功耗 AI 加速器,适用于边缘计算和物联网应用(82)

硬件 - 软件协同设计是提高 AI 系统效率的关键技术。研究团队提出了一种协同算法 模型 硬件工具,能够自动生成优化的 FPGA 基础模型,无需人工干预即可将标准机器学习框架中的深度神经网络转换为硬件加速器。

4.2 量子集成电路

量子计算作为下一代计算技术,正在从实验室走向实际应用。UTD 在量子集成电路方面的研究涵盖了多个层面:

量子电路设计:基于标准单元方法的量子电路设计,能够加速具有规则结构的量子电路布局(87)

容错量子计算:开发能够保护量子计算机免受攻击的电路架构和协议(111)

量子器件集成:将量子比特与控制电路、读出电路集成在同一芯片上

量子 - 经典混合系统:设计量子处理器与经典处理器协同工作的混合计算架构

4.3 存算一体与近数据处理

传统冯・诺依曼架构的 "存储墙问题严重限制了计算系统的性能和能效,** 存算一体 (In-Memory Computing)近数据处理 (Near-Data Processing)** 成为解决这一问题的关键技术:

磁隧道结 (MTJ) 存算器件:利用自旋轨道矩 (SOT) 开关的三端畴壁 磁隧道结器件,实现计算和存储的一体化

相变存储器 (PCM) 计算:利用相变材料的电阻变化特性实现逻辑运算

近数据处理架构:将计算单元放置在存储器附近或直接在存储阵列中进行计算,显著减少数据移动

新型存储技术集成:包括阻变存储器 (RRAM)、铁电存储器 (FRAM) 等新型非易失性存储器的计算能力开发

4.4 先进制程节点设计技术

随着摩尔定律逐渐接近物理极限,先进制程节点的设计面临着前所未有的挑战。UTD 在这一领域的研究重点包括:

3nm 及以下工艺设计:针对 3nm2nm 等先进工艺节点的电路设计方法学,包括时序收敛、功耗优化、良率提升等(95)

良率驱动设计:通过设计优化提高在先进工艺下的电路良率,降低制造成本

可靠性设计:考虑工艺偏差、老化效应、辐射效应等因素的稳健电路设计

异构集成:通过先进封装技术实现不同工艺节点芯片的集成,如 Chiplet 架构

4.5 极端环境下的集成电路

**Center for Harsh Environment Semiconductor Systems (CHESS)** 致力于开发能够在极端环境下工作的半导体技术,这一方向具有重要的国防和航天应用价值(60)

高温电子学:开发能够在 300°C 以上高温环境下稳定工作的集成电路

抗辐射电路:设计能够抵抗宇宙射线、核辐射的加固型集成电路

抗冲击器件:开发能够承受高加速度、机械冲击的 MEMS 传感器和电路

空间级电子器件:满足 NASA 和其他航天机构要求的空间合格电子产品

4.6 生物医学集成电路

生物医学应用对集成电路提出了特殊要求,如低功耗、高集成度、生物相容性等。UTD 在这一领域的研究包括:

植入式医疗设备:用于心脏起搏器、神经刺激器、药物泵等植入式设备的超低功耗集成电路

可穿戴健康监测:集成了传感器、信号处理、无线通信功能的可穿戴健康监测设备

医疗影像电路:用于超声、MRI光等医疗影像设备的高性能模拟前端电路

便携式诊断设备:集成了微流控、传感器、信号处理功能的便携式医疗诊断系统

五、研究成果与产业合作

5.1 学术成果与创新突破

UTD 在集成电路领域取得了丰硕的研究成果。以 TxACE 为例,仅在 2019 年就发表了 25 篇期刊论文、68 篇会议论文,并完成了多项突破性研究(53)

超高效 ADC 设计:开发了基于 VCO 的连续时间 ADC,实现了创纪录的 8.6fJ/step Walden 品质因数,功耗仅 100μW

毫米波通信:在 65nm CMOS 工艺中实现了 180GHz 和 315GHz 频段的 MSK 调制信号发生器,数据传输速率达到 10-15Gbps

GaN 功率转换器:开发了具有可调栅极驱动器的 GaN DC-DC 降压转换器,峰值 EMI 衰减提高 119%,输出电压抖动抑制提高 

智能传感器:设计了具有自适应运动伪影补偿功能的智能 ECG 传感器,适用于干接触式可穿戴医疗设备

5.2 产业合作与技术转移

UTD 与产业界建立了紧密的合作关系,特别是与 ** 德州仪器 (TI)** 的合作最为深入:

资金支持TI 在 2009 年向 UTD 捐赠 1500 万美元支持半导体研究,2014 年 TI 校友会捐赠 25 万美元支持德州生物医学设备中心,2015 年创建了 TI 创新实验室(107)

联合研究IPSL 实验室的研究项目获得了 TILinear TechnologyAnalog DevicesNXP 等多家知名半导体公司的资助(110)

人才培养TI 为 UTD 学生提供实习机会,许多毕业生直接进入 TI 工作,形成了良性循环

技术转化:多项研究成果已实现产业化,如 FRAM (铁电随机存取存储器技术,从实验室研究发展到大规模生产,应用于超低功耗微控制器、汽车数据记录器、生物医疗设备等领域

5.3 重大项目与资金支持

UTD 在集成电路领域获得了大量来自政府和产业界的资金支持:

政府资助:获得 NSF (国家科学基金会)SRC (半导体研究公司)DARPA (国防高级研究计划局等机构的研究资助(110)

产业投资SRC 向 TxACE 投资近 300 万美元用于开发增强公共安全的模拟技术

州政府支持:德克萨斯州通过新兴技术基金为 TxACE 提供了重要支持

国际合作:参与了多个国际合作项目,如与中国、韩国、欧洲等国家和地区的联合研究

5.4 技术转移与创业生态

UTD 积极推动技术转移和创新创业,建立了完善的技术转化体系:

创业加速器:计划建立半导体行业创业加速器,帮助研究成果快速转化为商业产品

先进原型设施:建立先进的原型制造设施,协助半导体行业创业者开发和测试原型产品

知识产权管理:通过技术许可、专利转让等方式,将研究成果转化为产业应用

衍生公司:多个研究团队成功孵化了技术型创业公司,如 Formula Microelectronics 

六、发展规划与战略布局

6.1 学科建设与人才培养

UTD 制定了雄心勃勃的半导体人才培养计划。根据行业预测,到 2027 年将新增 5000 个半导体操作和技术岗位,现有社区学院项目只能提供一小部分员工,因此北德克萨斯四年制大学需要增加半导体相关学士及以上学位的培养数量(121)

UTD 的应对措施包括:

开设半导体科学与工程硕士学位,该项目将于 2025 年开始招生(113)

开发 "可堆叠教育路径,允许学生随时间获得增量证书培训,被称为 "成功阶梯"(124)

加强 K-12 教育推广,通过工程等多个入口点,让更多中学生和高中生了解半导体制造职业机会(125)

6.2 研究设施升级

UTD 正在大规模升级和扩建研究设施:

新研究中心建设:已开设新的研究中心,专门从事半导体技术研发和电子测试(114)

洁净室扩建:升级现有的洁净室研究实验室,配备更先进的半导体工艺设备(37)

高性能计算平台:建设了 Juno 高性能计算系统,包含 77 个计算节点、5184 个 CPU 核心、32TB 内存和 12 个 GPU,以及 2PB 容量的高速存储系统(92)

先进表征设备:投资购买了先进的材料表征设备,支持从原子级到系统级的全方位研究

6.3 战略合作伙伴关系

UTD 正在积极拓展战略合作伙伴关系,构建更强大的研究生态系统:

政府合作:与德克萨斯州政府密切合作,通过各种州级基金支持半导体研究和产业发展

国际合作:加强与其他国家和地区的合作,特别是在先进半导体技术和人才培养方面

产业联盟:参与多个产业联盟和技术路线图制定,确保研究方向与产业需求保持一致

学术网络:与其他顶尖大学建立合作关系,共同推进半导体前沿技术研究

6.4 重点发展领域

基于技术趋势和产业需求,UTD 确定了以下重点发展领域:

重点领域

发展目标

预期成果

时间节点

宽禁带半导体

开发下一代 GaN/SiC 功率器件和电路

实现更高效率、更高功率密度的功率系统

2025-2030

AI 硬件加速

设计专用 AI 处理器和神经形态芯片

实现能效比提升 100 倍的 AI 计算平台

2024-2028

量子计算

开发容错量子处理器和量子 - 经典混合系统

实现实用化的量子算法加速器

2026-2032

存算一体

研发新型存储计算架构和器件

突破冯・诺依曼瓶颈,实现内存计算

2025-2030

极端环境电子

开发能够在恶劣环境下工作的器件和系统

满足航天、国防、能源等领域需求

2024-2027

七、对比分析与竞争优势

7.1 与美国顶尖高校的对比

在集成电路领域,美国有众多世界一流大学,UTD 与它们相比具有独特的优势和特色:

大学

综合排名

ECE 排名

集成电路特色

 UTD 对比

MIT

全美前列

US News 榜首

理论研究强,系统级创新

UTD 在应用研究和产业合作方面更具优势

斯坦福

全美前列

 5

创业生态好,技术转化能力强

UTD 在模拟电路和功率电子方面更专业

UC 伯克利

全美前列

 5

处理器架构、低功耗设计

UTD 在极端环境电子方面具有独特优势

加州理工

全美前列

 10

基础科学研究强

UTD 在产业合作和人才培养规模上更大

UTD

 52 名 (本科工程)

 51 名 (研究生 EE)

模拟电路全球领先,产业合作深入

拥有全球最大的学术模拟研究中心

UTD 在 2025 年 US News 排名中,电气工程研究生项目位列全美第 51 计算机工程第 53 ,在德克萨斯州公立大学中排名第 3(130)。虽然综合排名不及 MIT、斯坦福等顶尖名校,但在特定领域具有明显优势。

7.2 独特竞争优势

UTD 在集成电路领域的核心竞争优势包括:

1.产业基因深厚:前身为德州仪器研究机构,与半导体产业有天然联系,这种基因延续至今

2.模拟电路全球领先TxACE 是全球最大的基于学术机构的模拟研究中心(137),在模拟、混合信号和射频电路设计方面处于世界领先地位

3.地理位置优越:位于达拉斯 - 沃斯堡都会区的 "电信走廊",周边聚集了大量科技企业,提供了无与伦比的产业合作机会(1)

4.产学研结合紧密:与德州仪器、Analog DevicesLinear Technology 等公司有长期合作关系,研究成果能够快速转化为产品

5.研究设施完善:拥有先进的洁净室、高性能计算平台、各类专业实验室,支持从基础研究到原型开发的全流程

6.人才培养体系完整:从本科到博士的完整培养体系,以及针对产业需求的专业学位项目

7.3 发展潜力评估

基于当前的研究实力和发展规划,UTD 在集成电路领域具有巨大的发展潜力:

技术趋势契合度高:在 AI 硬件、量子计算、存算一体等新兴方向都有布局,与技术发展趋势高度契合

产业需求匹配度好:宽禁带半导体、汽车电子、物联网等研究方向正好满足产业发展需求

政府支持力度大:德克萨斯州政府高度重视半导体产业发展,提供了强有力的政策和资金支持

国际合作空间广阔:在全球化背景下,UTD 的国际合作网络正在不断扩大

结论

通过对 University of Texas at Dallas 集成电路领域研究方向的全面分析,可以得出以下结论:

研究实力雄厚且特色鲜明UTD 在集成电路领域建立了完整的研究体系,从基础理论到工程应用,从传统技术到新兴方向,形成了多层次、全方位的研究布局。特别是在模拟电路设计方面,凭借 TxACE 这一全球最大的学术模拟研究中心,UTD 已经确立了世界领先地位。

产学研合作模式成熟UTD 与德州仪器等产业巨头的深度合作,不仅带来了充足的研究资金,更重要的是确保了研究方向与产业需求的紧密结合。这种模式使得 UTD 的研究成果能够快速转化为实际产品,产生了良好的经济效益和社会效益。

未来发展前景广阔。面对人工智能、量子计算、新能源汽车等新兴产业的机遇,UTD 通过建设新的研究中心、开设相关学位项目、加强国际合作等措施,正在为下一轮技术革命做好准备。特别是在宽禁带半导体、AI 硬件加速、存算一体等前沿方向的布局,显示出 UTD 敏锐的技术洞察力。

对于学生和研究人员而言,UTD 提供了优秀的学习和研究平台,既有世界一流的导师团队,又有完善的实验设施,还有丰富的产业实习机会。对于产业界合作伙伴UTD 是理想的技术创新源泉,能够提供从基础研究到产品开发的全方位支持。对于政策制定者UTD 在半导体人才培养和技术创新方面的成功经验值得推广,有助于推动整个产业的发展。

UTD 在集成电路领域的成功经验表明,一所大学要在特定领域取得突破,不仅需要优秀的师资和设施,更需要明确的定位、持续的投入和开放的合作。相信在未来,UTD 将继续在集成电路领域创造更多创新成果,为人类科技进步做出更大贡献。

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