SiC MOSFET可以说是当今电力电子界不折不扣的“网红”了
它身手不凡，本领强大
耐得住高温，也抗得了高压
速度超快，能耗超低
它多才多艺，发得了电，也开得了车......
然而，SiC MOSFET虽好，想要发挥它的最大潜力也并不容易。
在使用SiC MOSFET的过程中，你是否也有过以下疑问？
SiC MOSFET开关这么快，密勒效应该如何避免？
短路耐受时间这么短，短路保护电路该如何设计？
PCB布线该如何避免噪声干扰？
SiC MOSFET的并联该如何设计？
.......
我们最懂你的疑惑，于是请来了英飞凌&晶川最资深的专家，与您相约北极星论坛线上研讨会，对以上问题进行鞭辟入里的分析与解惑
时间： 2018年09月18日 10:00-11:00
报名：点击阅读原文，立刻报名参会！
演讲专家： 马国伟
公司：英飞凌科技（中国）有限公司
职务：工业功率控制事业部应用与系统总监
简介：毕业于香港理工大学，1988年获电子工程学士学位，1995年获电力电子博士学位； 2005年加入英飞凌科技，现任职工业功率控制事业部应用与系统总监及首席专家，负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在亚太地区的新技术导入、应用开发及产品路线； IEEE及其电力电子分会的会员，在电力电子领域已发表三十多份论文及专利； IEEE 应用电力电子会议（APEC）的论文评审委员。
演讲专家： 华伟
公司：北京晶川电子技术发展有限责任公司
职务：资深电力电子工程师
简介：电力电子器件专业副教授，在IGBT和SiC MOS等器件、电路的理解和应用技术上，具有一定的专业水平； 擅长电力电子器件和驱动电路的综合失效分析、并联驱动、软开关变换器开发； 《现代电力电子器件及应用》的作者，拥有30年的电力电子技术经验。
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奖品奖项：
一等奖：2名， 甲醛净化器（2只）
二等奖：3名， 香薰加湿器（带小夜灯）
三等奖：5名， LED触控阅读小夜灯
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