英飞凌现已推出采用TO-247 2脚封装的第五代1200V CoolSiC™ 肖特基二极管，可轻松替换当前常用的硅二极管。
新的封装将爬电距离和电气间隙增至8.7mm，能够在严重污染环境中实现非凡安全性。结合硅IGBT或超结MOSFET，譬如，在三相系统中用于Vienna整流或PFC升压，CoolSiC™二极管相比于硅二极管，效率可提高1%或以上，PFC和DC-DC级的输出功率可增加40%或以上。除开关损耗微乎其微之外——这是碳化硅肖特基二极管的标志性特点——第五代CoolSiC™二极管产品还具备出类拔萃的正向电压（VF），VF受温度影响的偏移小，并且拥有超强的浪涌电流能力。得益于此，该系列产品能够以极具吸引力的价位，提供市场领先的效率和出色的系统可靠性。
归功于业内最低正向电压（VF）和不易受温度影响的特性，相对于市场上的碳化硅二极管，第五代CoolSiC™二极管在整个负载范围内具备最低静态损耗，同时10A CoolSiC™二极管具备与30A超快硅二极管相当的正向电压，提供了硅二极管之外更具吸引力的选择。与此同时，它的反向恢复电荷几乎为零。
650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode/ultrafast Si diode in a Vienna rectifier topology fsw = 48Hz
归功于业内最低正向电压（VF）和不易受温度影响的特性，相对于市场上的碳化硅二极管，第五代CoolSiC™二极管在整个负载范围内具备最低静态损耗，同时10A CoolSiC™二极管具备与30A超快硅二极管相当的正向电压，提供了硅二极管之外更具吸引力的选择。与此同时，它的反向恢复电荷几乎为零。
关键特性
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1 |
无反向恢复电流，无正向恢复电压 |
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2 |
开关性能不受温度影响 |
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3 |
即使在较高温度下，可保持较低正向电压 |
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4 |
正向电压参数分布集中 |
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5 |
超强的浪涌电流能力 |
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6 |
真2脚封装，爬电距离和电气间隙为8.7mm |
主要优势
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1 |
即插即用，轻松取代硅二极管 |
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2 |
相比于硅二极管，系统效率有所提高 |
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3 |
可实现更高频率/更大功率密度 |
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4 |
提升系统可靠性 |
Application example -
3-phase Vienna rectifier and DC-DC output rectifier
Application example -
3-phase Power Factor Correction (PFC)
★ 产品组合 ★
TO-247和TO-247-2封装其正向电流最高可达40A，TO-220-2封装为20A，DPAK封装为10A。
目标应用包括：太阳能逆变器、电动汽车直流充电系统、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、储能、电机驱动、电焊机和商用农用车（CAV）等。
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