广告时间
《IGBT模块：技术、驱动和应用》一书是由英飞凌科技授权机械工业出版社出版，上架后深受读者追捧，销量过万。
这是一本关于IGBT驱动与应用设计的大作，作者从功率半导体基础切入，通篇覆盖半导体原理，模块结构，电气特性，从而深入到实际应用中的开关特性、射频振荡及驱动设计和热设计，全书共14章，50万字。
本书由德国科学院院士Leo Lorenz博士作序。他写道：
目前针对电力电子变换器、开关拓扑和系统已经发表和出版了大量高质量的论文和书籍，一些综合性的文献则从理论和设计实现技术方面分别阐述了主要新型功率半导体元件的半导体物理学原理和元胞结构。
本书的独特之处在于它填补了半导体物理学与电力电子技术之间的空白，并为这些器件的使用者提供了有力的帮助。
本书将有助于学生认识当前主要功率半导体器件及其应用，并可以帮助电力电子变换器研发工程师全面而清晰地学习IGBT模块的选型、计算和应用。
本书主要对象是电力电子行业的工程师，也是大专院校的教学参考书，全书的配套课件可以在机械工业出版社教育服务网下载。
试读章节：《3.5 IGBT的开关特性》
（欲查看完整章节，请点击文末“阅读原文”）
3.5.1 IGBT的开通特性
图3.24 IGBT开通特性
IGBT的开通特性如图3.24所示，可以通过图3.1所示的半桥电路测试。IGBT VT2在一定的时间段t1内开通。根据这个时间周期和电感L的大小，决定流过负载及IGBT集电极电流的大小[式(3.12)]。
IGBT VT2在t1时刻关断，电流I换流到二极管VD1(t1时刻用以描述IGBT关断行为，详细的讨论见3.5.2节)。一旦时间到达t2，IGBT VT2再次被开通，这个时刻用来描述IGBT的开通行为。忽略负载电阻和二极管的压降，IGBT VT2在开通之前承受所有的直流母线电压UDC。
图3.25 IGBT的开通过程
IGBT开通过程如图3.25所示。在IGBT VT2开通后，栅极-集电极电压UGE开始上升。在时间t3处，UGE上升到阈值电压UGE(TO)，这时集电极电流IC开始上升。集电极电流的上升产生了电流变化率diF/dt，同时由于换流通路中的杂散电感，导致集-射电压UCE迅速下降，即
在t4时刻，集电极电流IC已经上升到由电感大小决定的额定值。然而，这时二极管开始关断，由于二极管的反向恢复特性，IC继续增大。最大集电极电流IC，max的值是由以下因素决定的:
二极管的设计;
IGBT的外围部件(比如驱动电路)，这些外围电路会影响电流变化率diC/dt和diF/dt。图3.26给出了一个最大集电极电流随驱动电阻变化而改变的示例。驱动电阻越大，diF/dt就越低,因而最大集电极电流就越低;
结温Tvj;
直流母线电压UDC。
如果其他参数保持不变，负载电流对IC，max的大小没有影响。
关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到，但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，提高道路交通安全性，降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
点一下阅读原文，查看完整章节！
