第三代半导体材料近几年受到大众的广泛关注，光伏，充电桩、电源、新能源电动汽车等行业的发展也为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）带来了更广阔的应用增长空间。根据相关研究机构预测，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）到2026年的全球总收入可达到50亿美元和18亿美元。英飞凌非常高兴宣布参加由电源网举办的第三届宽禁带直播节，并作为开场企业联合多位行业专家和高校名师聚焦GaN、SiC功率半导体技术及产业的技术挑战和解决方案。
本次我们的主题是《SiC和GaN产品技术和驱动应用技术深入浅出》
我们将主要介绍SiC和GaN产品技术和驱动应用技术中的热点问题。英飞凌继开发《从硅往碳化硅器件过渡中变流器设计的十个常见问题》应用技术讲座后，发表了3万字的碳化硅产品技术白皮书，介绍了碳化硅MOSFET栅极氧化层可靠性，交流和直流偏压温度不稳定性，体二极管退化，抗短路和宇宙射线能力，产品标准和汽车级认证等8大话题中的重要知识点。本次宽款带直播节我们也将会就此主题做深入探讨。
预习材料：碳化硅白皮书系列
GaN和SiC是高频器件，驱动相关技术是应用的核心，新技术和新技术产品化是推动GaN和SiC应用技术发展的重要切入点。本次活动将由两位资深实战专家从技术和应用角度做出深度讲解。
英飞凌的演讲之后，来自南京航空航天大学的张之梁教授将带来主题为《GaN HEMT驱动与高频电路应用》的演讲。
本次活动的演讲嘉宾
Infineon
程文涛
英飞凌电源管理及多元化市场
市场部经理
程文涛先生在1999~2004年间从事电源供应器设计工作，2004年进入半导体行业，在电源管理及相关领域负责过相关的AE以及市场工作，有着20多年的功率半导体应用和市场的丰富的经验。
郝欣
英飞凌科业功率控制事业部
方案拓展经理
郝欣毕业于合肥工业大学并别获得电力电子博士学位。郝博士于2015年加入英飞凌科技，现任职于工业功率控制事业部应用与系统方案拓展经理。负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在中国地区的新技术导入、应用开发及产品路线。
郑姿清
英飞凌工业功率控制事业部
高级工程师
郑姿清毕业于上海海事大学，获得电力电子专业硕士学位。郑姿清擅长IGBT器件开关性能的研究和测试，拥有超过十年的相关经验，熟悉IGBT，SiC和磁隔离驱动芯片的特点，熟悉功率开关器件的驱动电路设计。
张之梁
南京航空航天大学教授
张之梁，南京航空航天大学教授，主要研究方向是电力电子领域GaN高频项目的探索。对驱动电路有深入研究，著有High Frequency MOSFET Gate Drivers：Technologies and Applications一书。获国家优秀青年科学基金、教育部霍英东青年基金、 “江苏省六大人才高峰”等。发表IEEE Trans. on Power Electron.论文50余篇，发表IEEE APEC等国际会议论文70余篇。主持国家级项目4项、省部级项目9项，获江苏省科学技术奖 二等奖1项。
活动时间：2021年5月20日下午2点
参加方式：扫描下方二维码就能观看
⭐不用注册，不用注册，不用注册，重要的事情说3遍。
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关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到，但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，提高道路交通安全性，降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
