今天下午晚4点（北京时间），英飞凌将于线上举办“工业宽禁带半导体开发者论坛”。活动将持续6个小时，更有英飞凌总部资深专家从技术和应用角度深度解析宽禁带半导体，与大家共同迎接新器件的设计挑战！（详情请戳：报名 | 工业宽禁带半导体开发者论坛）
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（论坛为英文演讲）
新品
通用分立功率半导体
测试评估平台
型号为EVAL_PS_DP_MAIN，适用产品为600-1200V的TO-247-3/4封装的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET。
该评估平台的开发是为了让工程师研究MOSFET、IGBT及其驱动器的开关行为，适用产品为600-1200V的TO-247-3/4封装的IGBT，MOSFET， SiC MOSFET，它是现有双脉冲平台的改进版，该主板的最大电压为800V，最大脉冲电流为130A。
评估平台包括主板和目前的两个驱动子板。模块化设计是为了使该平台能够在将来用新的驱动子板进行扩展。
第一块驱动卡
REF-1EDC20I12MHDPV2
包含EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC20I12MH，它集成了一个有源米勒钳，防止寄生开启。
第二块驱动卡
REF-1EDC60H12AHDPV2
包括EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC60H12AH，允许正负电源供电，其中VCC2为+15V，GND2为负极。
产品特点
VCC2栅极驱动电压供应，从-5V到+20V
VCC1电源固定在+5V
通过SMA-BNC连接器进行栅极测试点连接
通过可选的同轴分流器测量电流
优化的换流回路
外部负载电感器连接
散热器设计允许在各种温度下进行测试
应用价值
可以作为客户系统中驱动设计的参考
可以对TO-247-3/4封装的IGBT，MOSFET, SiC MOSFET进行对比测试
模块化平台允许未来进行扩展
平台框图
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