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CoolSiC™ 1200V SiC
MOSFET低欧姆产品
CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。
产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20 mΩ TO247封装
CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。
CoolSiC™ MOSFET是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
产品特点
TO247封装中最大规格，最低的RDS(ON) 7mΩ
.XT互连技术实现了同类最佳的热性能
最大栅极源极电压低至-10V
灵活的关断栅极电压选择-5V~0V
雪崩能力
短路能力
应用价值
单个器件的功率密度高
7mΩ单个器件的系统输出功率可做到30千瓦
散热能力提高15%
宽关断栅极电压选择，易于设计和应用
增强稳健性和可靠性
市场优势
经过验证并增强了封装的坚固性，具有很高的可靠性
完整的内部生产前端和后端，确保供应安全性
最新的开关和栅极驱动器技术实现了最佳性能
易于设计，加快了上市时间
应用领域
电动车快速充电
太阳能系统
储能系统
工业驱动
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