为了应对逆变器高功率密度的设计需求，英飞凌开发了采用创新的.XT扩散焊技术的CoolSiC™ MOSFET单管产品，能够大大降低结壳热阻和热阻抗，能够提高CoolSiC™单管产品的热传导性和可靠性，从而进一步提高碳化硅系统设计的优化潜力。详细信息，请点击以下视频。
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应用.XT扩散焊技术的CoolSiC™ MOSFET单管产品
英飞凌工业半导体2022-04-20
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导读：为了应对逆变器高功率密度的设计需求，英飞凌开发了采用创新的.XT扩散焊技术的CoolSiC™ MOSFET 单管产品。
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