对于周末上班这件事，小编开始是拒绝的。但是想到了万千粉丝的期待，小编还是硬着头皮按下闹钟，打开电脑为各位发放福利。
大家还记得那篇“光伏届的奥斯卡”吗？在SNEC（简称“太阳能光伏展”）上，英飞凌作为功率半导体的领导者彰显了其在光伏行业的重要地位，受到众多厂商的高度称赞（敲黑板！划重点！）。
什么！你居然错过了！没关系，小编这就带你一起来回顾下英飞凌那些精彩的时刻吧~
第一弹：现场讲解
这次的展会的成功举办，不仅依靠英飞凌“高颜值”的产品、“不明觉厉”的技术和解决方案，还要归功和感谢英飞凌“可敬可爱”的技术专家们。这就带您去瞧瞧~
重点讲解式
指点江山式
集中讨论式
第二弹：产品展示
三电平平台成就更高可靠性和更高效率
本届展会,英飞凌展出了F3L200R12N2H3_B47新品模块，采用Econo2封装搭配NPC2三电平，是1000V80kW以上高功率组串逆变器的最佳解决方案。英飞凌TRENCHSTOPTM5 IGBT芯片技术可是能够帮助系统效率提升0.5%～0.8%，0.5%~0.8%，0.5%~0.8%！厉不厉害！
600A 1200V的全新62mm模块
英飞凌推出600A 1200V的全新62mm模块，标称电流提升了33%，功率密度也大幅提高；并基于该模块与复旦大学合作研发了高性能功率单元，采用62mm best-in-class IGBT模块的175kW三相NPC2三电平功率单元，仅3个功率单元就可实现500kW光伏逆变器。这是英飞凌的一小步，逆变器产品的一大步！
1000 V DC集中逆变器解决方案
1500 V DC 集中逆变器解决方案
英飞凌推出革命性的碳化硅(CoolSiCTM SiC)新材料
光伏逆变系统追求极致效率，但器件损耗不可避免，要怎么降低呢？
科科~这可难不倒英飞凌的专家们~英飞凌致力于推动高密度及高效率光伏逆变器的功率半导体技术，在功率半导体制造材料方面再领先一步，推出碳化硅(SiC)，将成为替代硅的革命性半导体新材料。
什么是碳化硅呢？碳化硅(SiC)拥有优良的材料特性，比如其阻断电压更高，导通电阻更低，击穿电场为20kV/100µm，是硅的8倍，可用作高性能的下一代功率半导体的基础材料。CoolSiCTM SiC MOSFET将带给用户一流的系统性能，效率最高，减少冷却需求；提高工作频率和功率密度，降低系统复杂程度和成本；简化设计和实施；延长寿命，提高可靠性。
第三弹：品质保证=Infineon Inside
值得一提的是，英飞凌科技(中国)大中华区工业功率控制事业部业务拓展经理陈子颖接受了来自《太阳能》杂志李鹏主编的采访，详细介绍了英飞凌在太阳能领域最新的产品和解决方案。李鹏主编表示：“这样一家国际半导体行业知名品牌，提供的多种半导体芯片支撑了中国光伏产业和风电产业的半壁江山，着实令人刮目相待。” 没错，Infineon Inside=品质保证！
李鹏主编参加英飞凌展台
看完这些，是不是为自己错过了SNEC的展会而遗憾呢？不用担心，英飞凌将会参加PCIM Aisa 2017，更多详细内容，敬请期待~
最后，小编在这里祝大家“粽子”节快乐！
*本文部分内容来自太阳能杂志--英飞凌：让光伏之“芯“更强劲
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