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RC-H5逆导型IGBT产品家庭再添新成员,针对感应加热应用优化

RC-H5逆导型IGBT产品家庭再添新成员,针对感应加热应用优化 英飞凌工业半导体
2018-07-05
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导读:最新一代RC-H5逆导型IGBT,新增30A和40A器件,专为满足感应加热应用的苛刻要求而开发和优化

最新一代RC-H5逆导型IGBT新增30A和40A器件,专为满足感应加热应用的苛刻要求而开发和优化,它们延续RC-H家族的杰出性能,并强调系统效率和可靠性。

 

由于开关损耗降低20%,可以进一步提高开关频率,通过使用较小的线圈降低系统成本或提高效率。

 

热性能的改进和功耗的降低——即使在更高的环境温度和应力条件下,也能够确保高可靠性。

 

软开关提升EMI性能,从而减少滤波需求,降低系统成本。在20A(关断电压1200V和1350V)的基础上,RC-H5家族又新增了30A和40A两个电流级别。



RC-H5器件的开关损耗大幅降低,高达20%。因为开关损耗降低,系统可在较高的开关频率下运行。频率增加可让设计师根据他们独特的系统需求而进行优化。


      IHW30N135R5与IHW30N135R3损耗对比


关键特性

›开关损耗降低20%

›导通损耗更低

›开通电流尖峰减小10%

›Tj(max) = 175°C

›软关断提升EMI性能

›更高关断电压VBR(min) = 1350 V

›TO-247 3pin

 

主要优势

›提高开关频率

›功耗更低

›优化散热,可靠性更高

›减少EMI滤波需求

›降低系统成本

›尖峰电流低

 

RC-H5家族产品的关键参数



【声明】内容源于网络
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英飞凌工业半导体
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