昨日，2016慕尼黑电子展在上海新国际博览中心拉开了帷幕。小编也有幸被主办方邀请，并亲临了展会现场。
对于慕尼黑电子展大伙儿的打开方式是这样的：
又或是这样的：
然而，集美貌、智慧于一身的小编打开慕尼黑电子展的方式则是这样的：
据悉，此次中国电源学会联合慕尼黑博览集团共同举办国际电力电子创新论坛，面向产品开发设计人员，邀请国内外相关领域知名专家、国际领先的科技公司就有关话题进行演讲，交流电源创新技术，探讨未来发展方向。
值得一提的是，来自英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部总监马国伟博士在会上就应用于电网的最新高溫、高密度、便于扩容IGBT技術一题进行了精彩的演讲。该议题究在输配电应用中，不断提高的功率需求一直在推动高功率半导体特别是IGBT的最大电流规格及电流密度技术极限，突破芯片电流密度及封装电流规格需要在IGBT芯片及封装技术两方面的创新。重点介绍英飞凌数项高功率IGBT芯片及封装技术的最新创新。使用IGBT5芯片及.XT封装技术让IGBT模块可以在Tvjop为175oC中可靠地工作，或令工作寿命提高十倍。二极管可控逆导型IGBT (RCDC) 技术让IGBT及二极管的功能可在单芯片上集成，令芯片电流密度提升33%。最后，以标准化XHP封装作简便的模块并联，让模块的电流规格得到简便扩容。
什么？觉得小编介绍的还不够详细？谁让你们错过马博士现场精彩的演讲。不过，下一次机会也不用像韩剧那样得苦苦等足一周。幸福有时来的就是那么突然，小编为大伙儿谋福利的时间又到了。未能在2016慕尼黑电子展上与马博士探讨技术前沿的小伙伴们赶紧奔走相告：3月17日马博士就在SEMICOM CHINA功率半导体技术论坛专场，等待您的莅临，期待与您交流！
功率半导体论坛 2016
议题：应用于电网的最新高溫、高密度、便于扩容IGBT技术
演讲人：马国伟 英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部总监
时间：3月17日，13:00-13:25
地点：上海浦东嘉里大酒店 浦东大宴会厅4
地址：上海浦东新区花木兰1388号