TO-263-3(D2PAK)封装650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT
独具特色的表面贴装超大功率密度650V IGBT
D2PAK封装实现超大功率密度
英飞凌推出的超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术可进一步缩小芯片尺寸、提高功率密度。英飞凌率先将40A 650V IGBT和40A二极管封装在D2PAK，相比于业内最高水平30A双芯片IGBT产品，其额定电流值提高了25%。现在，可以升级选用表面贴装设计，进一步提高输出功率Pout。
采用D2PAK封装的超大功率密度IGBT的适用范围
› 设计升级，将输出功率提高25–30%
› 减少IGBT并联
› D2PAK封装IGBT电流高达40A可以替代D3PAK或TO-247
降低杂散电感
D2PAK封装电感较低（5nH），可充分利用超快TRENCHSTOP™5 IGBT技术的优点——IGBT可在更高开关频率下工作，从而降低开关损耗，减少EMI干扰。此外，较低杂散电感有利于降低关断尖峰电压，因此，IGBT关断时承受的应力较小，这有助于提高可靠性，延长使用寿命。
关键特性
› 采用D2PAK封装的超大功率密度650V IGBT
› 业内首家将40A 650V IGBT和40A二极管封装在D2PAK
› 相比于其他竞争对手，D2PAK封装最大电流值提高25%
主要优势
› 采用D2PAK封装，实现大功率设计
› 升级现有设计，提高输出功率
› 减少并联，提高系统可靠性，降低设计复杂度
› 减小PCB尺寸，实现更紧凑的系统设计，减轻重量
业内首家将40A IGBT和40A二极管封装在D2PAK
安装在IMS（绝缘金属基板）上的TRENCHSTOP™ 5 D2PAK在热循环测试中表现出较低壳温Tcase
TRENCHSTOP™ 5 D2PAK可降低杂散电感，从而降低VCEPEAK
对比采用相同芯片但是不同类型封装（D2PAK或TO-247-3）的能效，D2PAK封装得益于电感较低，可大幅降低开关损耗。利用半桥拓扑逆变焊机执行热循环测试，对40A 650V TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT和40A 650V Rapid 1二极管组合的D2PAK封装和TO-247-3封装进行性能比较，试验表明，D²PAK封装的壳温Tcase降低了约5°C到10°C，这证明，安装在IMS上的较小尺寸D2PAK可以有效替代采用绝缘箔的TO-247。
TO-263-3（D2PAK）封装650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT产品组合
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