英飞凌IGBT芯片技术又双叒叕升级换代了？
没错！ 基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，同时采用最新EmCon 7二极管芯片与之搭配成IGBT开关，带来功率器件领域的革命性变革。
想先人一步领略新品魅力？敬请莅临6月25日举行的2018 英飞凌功率半导体技术研讨会上海站，我们将在下午变频驱动分会场上进行IGBT7技术特性的首次国内宣讲，揭开英飞凌下一代IGBT的神秘面纱。
IGBT7和EmCon7 针对工业电机驱动应用进行芯片优化设计，进一步减少器件稳态损耗，可实现更高功率密度，同时兼顾了芯片的软特性。此外，过载条件下允许的最高工作结温将提升至175 °C，实现同等封装下输出电流能力增大40%。
突出特性
• 最低的通态压降Vce(sat)和Vf
• 过载条件下支持175 °C最高虚拟结温
• 在满足dv/dt=5kV/us的前提下，优化器件开关损耗
• 满足8us短路耐受时间
• 续流二极管 FWD可靠性增强
客户收益
• 低损耗满足系统提高效率的需求
• 优化的设计同时兼顾低损耗与EMI 需求
首发型号
首批推出10A至100A的EasyPIM™ 与EasyPACK™ 产品
• FP10R12W1T7_B11
• FP25R12W1T7_B11
• FS100R12W2T7_B11
TRENCHSTOP™ IGBT7 EASY1B
TRENCHSTOP™ IGBT7 EASY2B
更多信息，请关注PCIM 2018上海站英飞凌展台，或点击“阅读原文”
