7月6日，英飞凌PCIM欧洲虚拟展台如期而至，手机版官方网站现已上线。
和往年一样，观众将能在此全面了解我们的产品创新和应用解决方案。从硅、碳化硅（CoolSiC™）到氮化镓（CoolGaN™）技术，英飞凌将在此展出业界最丰富的功率半导体产品组合，继续树立业界标杆。扫描下方图片二维码来一探究竟！
英飞凌展台
25个展台
18场技术报告
11篇大会论文和报告
海量展台资料下载
PCIM欧洲
60家参展企业
270个演讲及问答（免费）
行业论坛
电动汽车论坛
2020年6月29日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX/OTCQX:IFNNY）为其1200V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW（硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）以上中等功率范围应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上，扩展应用范围到太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。
该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC™ MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可以最大限度地减少冷却器件尺寸。在高开关频率下运行时，可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC™芯片技术，客户可以设计尺寸更小的逆变器，从而降低整体系统成本。
62mm标准基板和螺纹接口，得到高鲁棒性的结构设计，从而最大限度地优化提高系统可用性、同时降低维修成本并减少停机损失风险。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度（Tvjop），带来出色的系统可靠性。其内部的对称设计，使得上下开关有了相同的开关条件。可以选装“预处理热界面材料”（TIM）配置，进一步提高模块的热性能。
供货情况
采用62mm封装的1200V CoolSiC™ MOSFET有6mΩ/250A、3mΩ/357A和2mΩ/500A型号可供选择。它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）而设计的评估板可供选择。为了便于使用，它还提供了可灵活调整的栅极电压和栅极电阻。同时，还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。
详情可参考以下网站：
www.infineon.com/sic-mosfet-modules, www.infineon.com/SiC
关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到，但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，提高道路交通安全性，降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
