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PCIM展台巡礼 | 绝缘体上硅(SOI) 650V 高压驱动系列

PCIM展台巡礼 | 绝缘体上硅(SOI) 650V 高压驱动系列 英飞凌工业半导体
2020-07-10
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导读:英飞凌SOI技术, 对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。由于有源区和衬底之间是绝缘的,避免了常规硅技术驱动芯片会产生的寄生二极管和三极管结构,因此在任何温度和电压条件下,都不存在寄生闩锁

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英飞凌SOI技术, 对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。由于有源区和衬底之间是绝缘的,避免了常规硅技术驱动芯片会产生的寄生二极管和三极管结构,因此在任何温度和电压条件下,都不存在寄生闩锁效应。其内部集成了超快恢复自举二极管,优异的反向恢复特性和小于40欧姆的动态电阻,大大拓宽了芯片的使用范围,可以驱动更大容量的功率器件而不会过热,从而简化了电路设计,降低了系统成本。


高电流家族2ED218x系列专为开关模式电源(smp)和不间断电源(UPS)定制。


低电流家族2ED210x适合应用于家电(如制冷压缩机、真空吸尘器和电磁炉)、电动工具、电机控制和驱动,风扇和水泵。


均包含包括DSO-8和DSO-14两个封装系列。可驱动 MOSFET和IGBT。





特征描述


  • 工作电压(VS节点)高达+650V


  • VS负瞬态抗扰100V


  • 集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本


  • 高压和低压引脚分开,以实现最大的爬电距离和电气间隙


  • 逻辑接地和电源接地分开


  • 浮动通道,用于自举操作


  • 集成直通保护,内置死区时间(可编程)


  • 最大电源电压:25V


  • 两个通道均具有独立的欠压锁定(UVLO)


  • 传播延时:200ns


  • HIN,/LIN输入逻辑


  • VS引脚的逻辑操作高达–11V


  • 输入负电压容差:–5V


  • 浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT




优势


  • 大电流栅极驱动器——适用于大电流功率器件和高频应用


  • 集成自举二极管(BSD)——通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸


  • 电平转换损失减少50%


  • 对VS引脚的负瞬态电压(-100V)有着出色的耐用性和抗干扰能力




目标应用

特征描述


  • 电机控制与驱动


  • 轻型电动汽车(LEV)


  • 多轴飞行器和无人机


  • 开关电源(SMPS)


  • 不间断电源(UPS)


  • 电动工具


  • 服务用机器人


  • 家电


  • LED照明


  • 电动汽车充电


  • 电池化成


开关电源




家电/电机控制






产品概览




关于英飞凌

英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。


英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起,致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到,但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面,英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外,它们在保护数据通信,提高道路交通安全性,降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。

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【声明】内容源于网络
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英飞凌工业半导体
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