7月6日，英飞凌PCIM欧洲虚拟展台如期而至，手机版官方网站现已上线。
和往年一样，观众将能在此全面了解我们的产品创新和应用解决方案。从硅、碳化硅（CoolSiC™）到氮化镓（CoolGaN™）技术，英飞凌将在此展出业界最丰富的功率半导体产品组合，继续树立业界标杆。扫描下方图片二维码来一探究竟！
英飞凌展台
25个展台
18场技术报告
11篇大会论文和报告
海量展台资料下载
PCIM欧洲
60家参展企业
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耐用性决定了模块在恶劣环境下的使用寿命和可靠性。特别是当暴露于硫化氢（H2S）中时，电子元件的寿命会受到很大的影响。为了应对这一威胁，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX/OTCQX: IFNNY）开发出了一项独特的保护功能。采用TRENCHSTOP™ IGBT4芯片组的EconoPACK™ +模块是Econo系列中率先具备这一全新保护特性的产品，适用于逆变器应用。硫化氢达到临界水平的恶劣环境在造纸、采矿、废水、石化加工以及橡胶业中尤为常见。
硫化氢对于功率半导体而言，是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间通常会升至高温，加上施加的电压和硫化氢污染，会发生反应生成硫化铜（Cu2S）晶体。这种导电结构会在陶瓷基板DCB上的覆铜的沟槽内蔓延，并在最坏的情况下，引发短路。IGBT模块过早地发生故障，会导致逆变器的寿命大打折扣。英飞凌先进的硫化氢保护功能能够阻止硫化氢进入模块敏感区域。这个方法不但独一无二，效率也很高。
与此同时，模块的所有电气、热学和机械参数均未发生改变，同时还保留了和标准模块一样的属性，这便延长了在恶劣环境下运行的系统的寿命。为了确认这一点，英飞凌根据ISA 71.04-2013标准，设计了一个专有的HV-H2S测试，来证明IGBT模块能够在特定条件下运行。该标准根据污染影响的严重程度从“轻度（G1）”到“严重（GX）”划分了四个级别。英飞凌的测试涵盖了广泛的工业应用，为评估IGBT模块可靠性，提供了一个可量化的方法。
在英飞凌硫化氢技术的保护下，IGBT模块在HV-H2S指定测试条件下未显示出枝晶生长，因此，根据ISA 71.04标准，在“恶劣（G3）”级别上限（≤2000Å/50ppb）条件下，IGBT模块预计可使用20年。具有该保护功能的EconoPACK™ +可轻松替换标准模块，无需成本高昂且费时的设计工作。此外，借助该功能，使用逆变器系统的公司可省去一些额外的保护措施，比如在逆变器的安装区域乃至密封柜，增设空调、温度和湿度控制。
供货情况
具有先进的硫化氢保护功能的EconoPACK™ +现可批量订购，其中1200V有300A和450A两个选择，1700V有300A和500A两个选择。EconoPIM™ 2和EconoPIM™ 3的样品同样可供订购。点击阅读原文，了解更多产品信息！
关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到，但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，提高道路交通安全性，降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
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