一般来说，由于双极特性，IGBT开关损耗主要源于“拖尾电流”引发的高关断损耗。然而，当IGBT的特性足够好的时候，IGBT的开通损耗可能会占主导地位，譬如最新推出的TRENCHSTOP™5 650V IGBT，用硅二极管续流时，它的开通损耗远远大于关断损耗。这就想到用采用英飞凌CoolSiC™设计混合单管来大大降低开通损耗。
关于CoolSiC™混合单管的
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