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采用增强型CoolSiC™ MOSFET
（M1H）新一代碳化硅Easy模块
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H）首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
相关器件：
▪ FS55MR12W1M1H_B11
55mΩ 1200V三相桥
▪ FF2MR12W3M1H_B11
2mΩ 1200V半桥
▪ F3L8MR12W2M1H
8mΩ 1200V NPC2三电平
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
CoolSiC技术取得的最新进展，M1H芯片的栅极驱动电压窗口明显增大，推荐的VGS(on)为15-18V，VGS(off)为0-5V，最大栅极电压扩展至+23V和-10V。从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。VGS(th)稳定性的提高，大大减少了动态因素引起的漂移。
此外，允许该器件在175°C以下运行，以满足各种应用的过载条件。器件的基本理念没有改变，芯片的布局和尺寸没有改变。
第一批推出的型号包括Sixpack三相桥，三电平NPC2和半桥拓扑产品，封装分别采用Easy 1B, 2B和3B。有了这第一个全碳化硅的CooSiC™ EasyDUAL™ 3B功率模块，英飞凌的工业级碳化硅产品系列是市场上最广的。
产品特点
Easy1B、2B和3B模块封装
1200V CoolSiC™ MOSFET，具有增强型沟槽栅技术
扩大了推荐的栅极驱动电压窗口，+15...+18V和0...-5V
扩展的最大栅极-源极电压为+23V和-10V
过载条件下的最高工作结温Tvjop高达175°C
Sixpack三相桥、电平或半桥拓扑
PressFIT引脚
预涂热界面材料(Easy 3B)
应用价值
市场上最广工业碳化硅模块产品系列
与标准CoolSiC™ M1芯片相比，RDson降低了12%
减少了动态因素引起的漂移
应用领域
伺服驱动器
不间断电源
电动汽车充电器
太阳能逆变器
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