新品
沟槽栅2000/3000A 4500V
125mm平板型压接式IGBT
沟槽栅2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT
相关器件：
▪ P2000DL45X168 2000A 4500V带续流二极管 125mm平板型
▪ P3000ZL45X168 3000A 4500V不带续流二极管 125mm平板型
Infineon Technologies Bipolar扩展了其高功率产品系列，4.5kV PPI IGBT使用英飞凌沟槽栅IGBT, 封装为直接压制式Press Pack，商品名Infineon® Prime Switch。
这种新的、经过应用优化的压接式PPI IGBT提供了2000A（带内部续流二极管）和3000A（不带内部续流二极管）。它们旨在满足使用IGBT功率半导体的高功率系统的所有当前和未来要求。主要应用于HVDC和FACTS，直流断路器，中压电机驱动器，风电变流器和牵引。
产品特点
4.5kV沟槽栅IGBT芯片
长期稳定的故障时短路特性
密封封装
应用价值
坚固耐用，可抵御外部环境气体
防爆外壳
双面冷却
允许安装压力范围大
失效长期短路模式
最高的功率循环能力
应用领域
高压直流输电和FACTS
直流断路器
中压电机驱动
风电变流器
牵引
扫描下方二维码，
即可查看产品详细资料~
👇👇
参考阅读
为柔直应用开发的高可靠性压接IGBT
压接式IGBT：为高压直流输电和中压电机驱动应用设计
如果您对上文中的产品（推文代码：2022NPI15）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请点击文末“阅读原文”填写表格。
想获取数据手册，
可在公众号菜单栏中搜索~
👇👇
扫描上方二维码关注我们
点击文末“阅读原文”，
即可填写表格联系我们~