由中国电源学会主办的2022年“第三代半导体器件、驱动控制、测试及应用技术高级研修班”将于12月3-5日正式举办。培训老师有来自西安交大刘进军教授，中国电子科大张波教授，邓小川教授，周琦教授，电工所的张瑾博士以及来自英飞凌、GaN Systems等应用技术专家。
主办单位：中国电源学会
承办单位：中国电源学会科普工作委员会、中国电源学会元器件专业委员会、英飞凌-上海海事大学功率器件应用培训和实验中心、上海临港电力电子研究院
协办单位：上海临港经济发展集团科技投资有限公司
课程背景
在国家实现“双碳”目标的发展战略引领下，新能源开发利用与交通电气化是未来主要发展方向。其中：以电力电子技术为核心的电能变换与控制极为关键，开发更高效、便捷、清洁的能源利用方式与电力系统是亟待解决的重大问题。当前第三代半导体技术的蓬勃发展，为打开高效能源之门提供了崭新的机遇。
预计到 2027年，SiC器件市场将从2021年的10亿美元业务增长到62亿美元。其中新能源汽车、可再生能源和工业是三大最有前景的应用领域。另一方面，由于碳化硅和氮化镓技术和产业的成熟，在电力电子系统中的应用场景越来越丰富，工程应用经验迅速得到积累，器件芯片技术、封装技术、可靠性技术和应用技术成为未来电力电子技术的新的方向和关键。
培训内容
本课程旨在全面系统地介绍第三代功率半导体新技术的发展，重点讲授碳化硅和氮化镓器件的器件原理、结构、封装、驱动与保护，深入分析新型功率器件的可靠性与测试等核心技术。
课程在英飞凌Leo Lorenz博士、德国开姆尼茨大学Josef Lutz教授的长期支持下，经过十余年的发展，成为了业内的精品课程，为电力电子行业培养了各层次的人才。
课程设置紧密贴近产业实际需求，从基础知识切入，着重破解工程应用的难题。尤其碳化硅和氮化镓的应用技术，为电子电子领域的工程师、研究人员、高校的青年教师和研究生提供坚实的技术基础和系统的应用指导。
刘进军，西安交通大学电气学院教授、领军学者，IEEE Fellow，教育部长江学者特聘教授，中国电源学会理事长，IEEE电力电子学会2015-2021副主席。国家重点研发计划项目首席科学家。1997年博士毕业即留校任教至今，现任电力电子与新能源技术研究中心主任/电力电子与工业自动化研究所所长。现为IEEE电力电子学会副主席，英文学报主编，教育部电气类专业教学指导委员会副主任委员。主要研究方向为电力电子技术。本次应邀做开讲报告“第三代功率半导体器件在电力电子变换器中的发展前景”。
张波教授，电子科技大学，中国电源学会元器件专业委员会主任委员。长期从事新型功率半导体技术研究，带领电子科技大学功率集成技术国家重点实验室（PITEL）主攻功率半导体技术研究，涵盖分立器件从硅基到SiC和GaN、可集成功率半导体器件和功率集成电路。已获中、美发明专利授权400余项，在IGBT等多个领域授权数居国内第一。牵头或参研十余项国家科技重大专项；在研国家自然科学基金项目16项，2017年新启动7项。与企业合作承担了国家高技术产业发展计划等重点项目；面向市场研发出100余种产品，打破国外垄断、实现批量生产，已销售数亿只。本次应邀担任主讲第三代半导体器件的基本原理、结构设计、产品工艺、器件封装与测试技术。
邓小川教授，电子科技大学、博导。2004.09－2008.06毕业于电子科技大学微电子学专业，博士学位。工作履历：2008.06-2017.12电子科技大学微电子与固体电子学院，2018.01-至今电子科技大学电子科学与工程学院。
研究领域：
1、宽禁带半导体碳化硅功率半导体技术 高压大电流宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件理论、模型和新结构研究，包括：SiC IGBT、SiC MOSFET、SiC功率整流器以及功率模块等。
2、大功率射频半导体器件技术 超大功率Si基RF LDMOS器件和SiC基微波固态功率器件设计、模型与新结构研究。
周琦教授，电子科技大学、博导。2012年毕业于香港科技大学获博士学位，同年加入电子科技大学微电子与固体电子学院。专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓（GaN）功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN（GaN-on-Si）栅控横向功率整流器新结构，器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术，利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件性能达到国际领先水平。
英飞凌
应用工程师团队
英飞凌科技公司是国际一流功率半导体器件制造商。英飞凌团队大多数来自系统设计邻域工程师，在英飞凌积累了丰富的功率半导体应用经验，碳化硅和氮化镓器件是近几年最重要的研究方向，成果累累。本次将应邀重点讲授碳化硅器件的结构、碳化硅和氮化镓器件的驱动与控制等。
加拿大
GaN Systems
加拿大GaN Systems公司是目前国际先进的氮化镓器件研发和生产制造商，专业从事氮化镓器件的开发和生产，具有丰富的应用经验。本次将应邀重点讲授氮化镓器件的结构与应用。
上海临港
电力电子研究院
上海临港电力电子研究院是临港新片区“重点产业共性技术”研究平台之一，主要从事功率半导体与汽车驱动功率模块的研发与测试，拥有一流的测试设备。本次主要承担功率半导体器件的测试与实验。
12月3日
上午 8:00-08:30
开幕式
中国电源学会领导致开班词
上午 8:30-09:30
第一讲：第三代功率半导体器件在电力电子变换器中的发展前景
刘进军 教授
西安交通大学、博导、中国电源学会理事长、IEEE Fellow、长江学者
上午 10:00-12:00
第二讲：功率半导体芯片技术与产业发展
张波 教授
电子科技大学、博导、中国电源学会元器件专业委员会主任委员
下午 13:30-17:30
第三讲：SiC/GaN功率半导体原理、特性和应用
邓小川 教授、周琦 教授
电子科技大学、博导
12月4日
上午 8:30-10:00
第四讲：从硅到碳化硅转换的应用技巧：设计、驱动、保护
郑姿清 高级主任工程师
英飞凌科技（中国）有限公司
上午 10:00-11:30
第五讲：碳化硅在电机驱动中应用
陈子颖 市场总监；张浩 高级工程师
英飞凌科技（中国）有限公司
下午 13:30-15:00
第六讲：碳化硅器件建模与系统仿真
张浩 高级工程师
英飞凌科技（中国）有限公司
下午 15:00-16:00
第七讲：设计案例：用于电动汽车充电和ESS应用的11千瓦SiC双向DC/DC转换器
郝欣 博士
英飞凌科技（中国）有限公司
下午 16:00-17:30
第八讲：功率器件的测试方法
张瑾 博士
中国科学院电工研究所大功率电力电子器件封装工程实验室
12月5日
上午 8:30-10:00
第九讲：碳化硅器件的设计与驱动
屈云生 中国区技术总监
加拿大GaNSystems公司
上午10:00-11:30
第十讲：英飞凌氮化镓产品及其应用设计
王志力 高级工程师
英飞凌科技（中国）有限公司
下午 13:00-15:00
第十一讲：新能源汽车用的功率半导体测试与验证
夏雨昕 博士
上海临港电力电子研究院
下午 15:30-17:00
第十一讲：新能源汽车用的功率半导体测试与验证
夏雨昕 博士
上海临港电力电子研究院
下午 15:00-15:30
上海临港电力电子研究院实验室参观
培训结束后，中国电源学会将颁发中国电源学会专业培训证书。
3200元（含讲课费、资料费）
以下条件享受费用优惠（优惠不叠加）。
优惠条件：
1.中国电源学会团体会员享受7.5折优惠；
2.中国电源学会个人会员享受8.5折优惠；
3.5人以上(含5人)团体报名享受8折优惠；
4.学生会员（凭中国电源学会学生会员证）5折优惠。
研修班可为学员代订上课酒店房间，费用由学员直接交付。并可提供拼房安排。
住宿酒店：上海维也纳国际酒店(上海滴水湖海洋公园店)
地址：上海市浦东新区临港新城康乃馨路22号（近滴水湖）
电话：18202125623
房价：单人间/标准间：390元/间（含早餐）
中国电源学会科普培训部
联系人：贾志刚
咨询电话：13920959431（微信同号）
邮箱：jiazhigang@cpss.org.cn
扫描上方二维码
欢迎关注微信公众号
【英飞凌工业半导体】
