高效领先的功率半导体让英飞凌在节能减排方面，一直走在全球科技公司的前列。其中宽禁带半导体技术的优势已经在许多产品应用中得到验证。不仅如此，凭借其高频、高效、高功率密度、耐高温高压等特点，宽禁带半导体技术高度契合节能减排需求并将在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。
即将于3月9日在慕尼黑举行的2023宽禁带开发者论坛上，将由英飞凌科技工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士以“宽带隙如何实现绿色能源与推动低碳化”的主题发表演讲，为活动拉开序幕，论坛上还将会有三位嘉宾分享新的技术与应用趋势以及开发经验。
分享嘉宾：
Ranganathan Gurunathan博士
布鲁姆工程副总裁
SiC MOSFET用于SOFC燃料电池和SOEC电解氢功率变换
Alpha J. Zhang博士
Delta上海设计中心主任
SiC MOSFET实现高能效解决方案助力“低碳化”
Qinghong Yu博士
施耐德电气高级首席技术专家:
搭载SiC MOSFET的UPS逆变器设计
此外，本次展会中的技术专家分会场
将以多个主题展开探讨:
CoolSiC™ MOSFET在开关过程中电性能参数稳定性；
CoolGaN™ AC双向开关；
适用于SiC单管的高级.XT扩散焊技术；
面向电动汽车充电应用或无风扇PSU的最新评估板......
除工业领域专家之外，本论坛也将邀请到英飞凌汽车电子领域专家一同参与分享，探讨新一代CoolSiC™技术以及重点介绍基于宽禁带技术的电动汽车车载充电解决方案和逆变器解决方案等应用。
我们期待与您在论坛相聚！
欢迎届时莅临！
想寻找更多应用或产品信息？
想联系我们购买产品？
欢迎扫描二维码并填写表单，
我们将后续跟进。
欢迎关注微信公众号
【英飞凌工业半导体】
