凌云院IPAC | 2023年度英飞凌碳化硅直播季，重磅来袭！

如果要说当前半导体行业最热的话题是什么，无疑是第三代半导体，而这其中SiC毋庸置疑是最引人注目的当红“炸子鸡”。

英飞凌自1992开始着手于碳化硅的研究，在长达 30 年的时间里，英飞凌不断地进行技术打磨和沉淀，帮助新材料在新应用中快速成长。迄今为止英飞凌CoolSiC™商用已有20余年，未来CoolSiC™ 碳化硅器件除了光伏和储能、充电设施以及各类电源应用以外，还会在哪些领域大有可为？

2023年5-8月， 2023年度凌云院 IPAC英飞凌

碳化硅直播季 ，重磅来袭！

英飞凌碳化硅技术大解析，让我们一起看下

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET “Cool” 在哪里？

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碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅，如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题。

英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiC MOSFET 的企业，如何使用创新的非对称沟槽栅既解决栅极氧化层的可靠性问题、又提高了SiC MOSFET 的性能? 增强型沟槽栅又“强“在哪里？

英飞凌的创新碳化硅冷切割技术，如何更好地成就SiC生产效率的提升和成本的降低？.

英飞凌使用增强型沟槽栅SiC MOSFET 芯片，配合.XT高性能互联封装技术，又会对散热、功率密度和可靠性带来何种优化？

让我们一起来深入探究CoolSiC™ MOSFET的器件结构和封装技术吧！

在从Si到SiC的应用转化中，因为SiC的高速开关特性、特殊的器件结构、较低的短路耐量，使得SiC系统的驱动及保护设计都面临很大挑战。如何更好地设计SiC MOSFET驱动及保护电路， 在高性能功率转换应用场合实现效率、功率密度和稳健性的最佳组合？

好马要有好鞍配，让我们一起详解SiC短路保护和并联的关键技术！

由于 SiC材料在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率以及功率密度等参数方面要远远优于传统硅基半导体，所以其在新能源汽车、充电桩、高速电机、可再生能源等领域的应用在逐步的扩大化。未来还会在哪些领域大有可为？

好钢用在刀刃上，让我们共同探讨SiC热门应用和器件选型要点。