直播精彩回顾
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▲先导片
▲开场
▲SiC MOSFET短路特性与短路保护
▲SiC MOSFET驱动、测量、米勒钳位及并联布线
▲Q&A环节
直播期间后台涌现了大量问题，但因时间有限，未能回答全部，在此针对一些遗漏问题进行回答。如果大家还有任何问题，欢迎在文末留言，我们会及时回复。
Q
罗氏线圈带宽导致的延时怎么处理？
双脉冲测试平台，空心电感作为感性负载，测开通，把Vce跌落的时刻和Ic上升的时刻调整到同步。关于电流探头的延时校准，请参考下面文章：👇👇
Q
为什么一类短路没有米勒平台
米勒平台产生的原因，是在MOSFET开通过程中，当DS之间电压从高到低跳变时，门极电流给栅-漏之间的寄生电容Cgd充电，不给栅-源电容Cgc充电，从而Vgs不再上升，从而形成米勒平台。从一类短路波形看，DS电压不会降低，门极电流持续给Cgs充电，门极Vgs持续上升，因此没有米勒平台。更多关于米勒平台及米勒效应的介绍，请参考下面文章：👇👇
Q
IGBT和MOSFET开通和关断的平台电压为什么不一样呢？
芯片内部的米勒平台电压都是一样的，但功率器件有时会有内部电阻，而测量的门极电压点是内部电阻和外部电阻的连接点。看到的其实是在这点的分压。开通时两端电压为VCC-Vmiller，而关断时两端电压为Vmiller-VEE。
Q
IGBT的二类短路保护比较难做，SiC也是一样的吗？
IGBT的二类短路保护难做，主要是因为从导通状态进入到短路状态的过程中，CE电压存在从低到高的跳变，变化的dv/dt通过门极-集电极间的米勒电容Cgc产生位移电流，位移电流流经门极电阻会使门极电压抬升，从而提高短路电流，缩短短路时间。从这个角度看，SiC也存在类似问题，但英飞凌CoolSiC™ MOSFET米勒电容做得比较小，米勒效应引起的门极电压抬升会相对轻一些。
Q
CoolSiC™ MOSFET 3us的短路能力是在什么条件下得到的？
英飞凌单管产品的3us短路能力是在如下条件定义的：VDD=800V,VDS,peak<1200V,VGS,on=15V, Tj,start=25℃。
Q
请问直播中介绍的带短路保护功能的驱动IC产品的前沿消隐时间是可以调整的吗？
本次直播介绍的两款产品中，F3系列1ED332X的前沿消隐时间是固定的，其典型值为400ns。1ED34和1ED38系列的前沿消隐时间是可以调整的，其中1ED34的前沿消隐时间有400ns,650ns, 1150ns三档可调。而1ED38从100ns到3300ns有64档可调。
Q
英飞凌F3系列驱动芯片1ED332X的CMRR能力有什么优势吗？
F3系列产品的CMRR达到了300kV/us，对于一般的SiC器件驱动来说足够了。但是在实际应用中，布线和系统结构等都会影响驱动的抗干扰性能。
Q
数字可编程的芯片1ED38X0，是否可以保存设置，还是每次上电都需要配置？
芯片内部没有存储功能，只能每次上电时进行配置。
Q
驱动芯片的静态功耗和哪些因素相关？是固定的吗？
驱动芯片的静态功耗主要和电压值和温度有关，可以认为它在电路中是固定的。
Q
驱动芯片的轨到轨输出是什么意思？
如果驱动芯片副边供电是+15V，输出电压稳定值也是15V，那么我们就称它为轨到轨。一般用的三极管作推挽放大后，三极管本身会产生电压降，输出往往变成14.3V，这样就不叫轨到轨了。
碳化硅直播季第三期8月9日
《好钢用在刀刃上一
探讨SiC热门应用和器件选型要点》
我们不见不散！
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碳化硅直播季主持人
孙辉波
英飞凌科技大中华区
零碳工业功率事业部
应用工程师
时间：8月9日下午14:00
话题：好钢用在刀刃上——探讨SiC热门应用和器件选型要点
直播嘉宾
沈嵩
英飞凌科技大中华区
零碳工业功率事业部
应用工程师
周明
英飞凌科技大中华区
零碳工业功率事业部
应用工程师
由于 SiC材料在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率以及功率密度等参数方面要远远优于传统硅基半导体，所以其在新能源汽车、充电桩、高速电机、可再生能源等领域的应用在逐步的扩大化。未来还会在哪些领域大有可为？
好钢用在刀刃上，让我们共同探讨SiC热门应用和器件选型要点。
本期关键词：碳化硅，光储充，固态变压器，
固态断路器，SiC 器件选型
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【英飞凌工业半导体】
