英飞凌推出采用62mm封装的CoolSiC™ MOSFET产品组合
增强型M1H芯片技术显著拓宽了栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰时的高可靠性。此外，极低的开关损耗和导通损耗可以最大限度地降低散热需求。2000V的电压等级，满足现代系统设计中的高耐压要求。借助英飞凌CoolSiC™芯片技术，变换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。
62mm采用铜基板设计和螺母功率端子，该封装是高鲁棒性的结构设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的温度周次能力和150°C的连续运行结温（Tvjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得桥臂中上下管具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。
供货情况
采用62mm封装的1200V CoolSiC™ MOSFET有5mΩ/180A、2mΩ/420A和1mΩ/560A三种型号可供选择。2000V产品组合将包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A两种型号。1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型号将于2024年一季度推出。该系列产品还有用于评估模块高速特性（双脉冲/连续工作）的评估板可供选择。为了便于使用，该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻，同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。想了解更多信息，请扫描下方二维码或点击文末“阅读原文”。
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