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经典导读:1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用

经典导读:1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用 英飞凌工业半导体
2024-05-23
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导读:工程师真人出镜解读英飞凌工业半导体微信经典

经典导读

“经典导读”短视频专栏,致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等,英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式,分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解,与您一同重温这些经典之作,欣赏技术的魅力。


本期应用工程师王艺轩精心挑选了《1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用》一文,为大家解读光伏和储能应用的新星——H7系列,及其极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列的特点。



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《1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用》


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《经典导读:IGBT的电流是如何定义的》



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英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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