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沟槽栅CoolSiC™ MOSFET如何平衡导通电阻与可靠性

沟槽栅CoolSiC™ MOSFET如何平衡导通电阻与可靠性 英飞凌工业半导体
2024-04-22
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导读:SiC MOSFET有两种主流技术路线:平面栅和沟槽栅。尽管平面栅更容易实现,英飞凌还是从一开始就选择了需要更高深工艺知识的沟槽栅。

SiC MOSFET有两种主流技术路线:平面栅和沟槽栅。尽管平面栅更容易实现,英飞凌还是从一开始就选择了需要更高深工艺知识的沟槽栅。一个重要原因是垂直式SiC-SiO2界面缺陷率更低,沟道电阻小,较低栅氧的电场下运行沟槽型器件,仍能得到非常好的性能和较好的氧化层可靠性。更多信息,请点击以下视频。


▲点击上方视频,即可播放观看


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