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采用.XT技术的XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3.3kV介绍

采用.XT技术的XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3.3kV介绍 英飞凌工业半导体
2024-04-24
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导读:英飞凌的3.3kV高压SiC产品组合系列推出两款专用于要求极高的工业级应用的模块,一是漏极-源极导通电阻2.0

英飞凌的3.3kV高压SiC产品组合系列推出两款专用于要求极高的工业级应用的模块,一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ(25℃条件下),标称电流1000A的模块;二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ(25℃条件下),标称电流750A的模块。


这两款模块产品均由集成体二极管的SiC MOSFET组成,并通过英飞凌可靠的.XT互连技术置于低电感XHP™ 2封装中。


一起来看看这个模块的电气性能和在牵引场景中的优异表现吧!


▲点击上方视频,即可播放观看


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【英飞凌工业半导体】

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英飞凌工业半导体
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