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秘籍获取丨CoolSiC™ 2000V的小秘密,你想了解吗?

秘籍获取丨CoolSiC™ 2000V的小秘密,你想了解吗? 英飞凌工业半导体
2024-04-25
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导读:5月14日 14:00,今年的碳化硅季正式回归,首期话题将为您开讲CoolSiC™ MOSFET 2000V的优势、特点、应用设计难点……

直播预告

5月14日 14:00

今年的碳化硅季正式回归,

首期话题将为您开讲

CoolSiC™ MOSFET 2000V的

优势、特点、应用设计难点……

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作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。


点击视频,一起看看它如何在应用中释放高功率吧!


▲点击上方视频,即可播放观看


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英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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