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展品抢先看丨市面首款2000V CoolSiC™ MOSFET将再次亮相2024 PCIM Asia

展品抢先看丨市面首款2000V CoolSiC™ MOSFET将再次亮相2024 PCIM Asia 英飞凌工业半导体
2024-08-08
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导读:英飞凌将继续携市面首款2000V CoolSiC™ MOSFET亮相2024 PCIM Asia,让我们先睹为快!


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时间:2024年8月28日-30日

地址:深圳国际会展中心(宝安新馆)11号馆11D01展位


英飞凌将继续携市面首款2000V CoolSiC™ MOSFET亮相2024 PCIM Asia,让我们先睹为快!


适合CoolSiC™MOSFET的栅极驱动器IC介绍



采用增强型沟槽栅技术的2000V CoolSiC™ MOSFET分立器件和模块介绍




往期回顾


Electronica展台对话丨1200V CoolSiC™ MOSFET Easy模块&CoolSiC™ MOSFET G2


【声明】内容源于网络
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英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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