经典导读
"经典导读"短视频专栏，致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等，英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式，分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解，与您一同重温这些经典之作，欣赏技术的魅力。
本期英飞凌产品应用工程师郑姿清精心挑选了《隔离型驱动芯片下面到底能不能走线》一文， 这篇文章既分析了驱动芯片下面布线的风险，尤其是SIC MOSFET这一高速开关器件，也给出了驱动芯片设计中电场干扰的特点和机理，为特殊情况下芯片下面布线提供设计参考，助力工程师设计驱动电路布线！
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