经典导读
"经典导读"短视频专栏，致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等，英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式，分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解，与您一同重温这些经典之作，欣赏技术的魅力。
本期英飞凌产品应用工程师郑姿清精心挑选了《IGBT门极驱动到底要不要负压》文章，驱动IGBT的时候，有的客户基于成本和设计复杂度，不希望使用负压；有的客户为了抑制寄生导通，更倾向采用负压关断。那么究竟该不该采用负压？什么时候用？听听郑工怎么说：
想要阅读原文获取更多细节吗？
请点击下方链接👇
如果您想阅读专栏更多内容，
欢迎点击👇
|
1 |
《经典导读：IGBT的电流是如何定义的》 |
|
2 |
《经典导读：1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用》 |
|
3 |
《经典导读：双脉冲测试基础系列：基本原理和应用》 |
|
4 |
《经典导读：搭载1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度》 |
|
5 |
《经典导读：IGBT安全工作区（SOA）知多少》 |
扫描上方二维码
欢迎关注微信公众号
【英飞凌工业半导体】
