CoolSiC™ MOSFET M1H增强型技术，“强”在哪里？
CoolSiC™ MOSFET M1H增强型技术，可大大改善漏源导通电阻，扩大栅极-源极间的电压区域，从而提高驱动灵活性，主要有以下四个优势：
1
M1H系列的Rds(on)有了极大提升，在同样芯片面积下，增强型M1H的Rds(on)减小12%。
2
门极电压的耐压范围进一步扩大，稳态耐压值在-7~20V，瞬态耐压值-10~23V。推荐开通电压15-18V，关断电压-5~0V。
3
M1H系列门极电压阈值较高，大大减少了0伏关断时的误导通情况，提升系统的稳定性。
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最大结温可达175℃，进一步提升功率密度。
此外，英飞凌是业内第一家在在规格书里面标注碳化硅短路能力的半导体器件厂商，可以选择18V Vgs,降低Rds(on)；或者15V Vgs,获得短路能力。
M1H系列的芯片尺寸更多样化，包括55mΩ，33mΩ以及13mΩ，从而在面对不同Rds(on)的组合时候，提供了更多的可能性和灵活性。
M1H增强型技术芯片性能大幅提升，最小化动态开关过程对阈值和导通电阻的影响，保证更好的参数稳定性。
目前英飞凌已经推出了哪些CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H Easy模块？
英飞凌Easy模块具有可扩展性和灵活性，Easy 1B和2B模块已上市多年，应用十分广泛。为了确保以同样模块高度设计更高功率的系统，英飞凌进一步开发了Easy 3B和4B模块。这两款封装可以带来更高的功率、更大的电流，采用1200V CoolSiC™ MOSFET芯片，以更好地满足新兴应用的要求。
目前，1200V CoolSiC™ MOSFET M1H Easy模块拥有丰富的拓扑结构，包括半桥、全桥、三相桥、三电平以及boost。其中半桥的Easy3B模块，最小Rds(on)为2mΩ。
总结Easy碳化硅模块的优势：
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无铜底板模块，为用户提供了更具性价比的产品方案。部分Easy 1B以及2B模块配置了氮化铝基板，相较于传统的氧化铝的材料，热阻降低40%，从而降低结温，减小散热成本。
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封装上的灵活出PIN，使驱动回路和功率回路都做到最小，尤其适用于碳化硅这样的高速开关器件。而PressFit Pin的功能，可以简化系统的安装流程
1200V CoolSiC™ MOSFET M1H Easy模块适用于哪些高速开关应用？
Easy模块完美适用于标准化和定制化解决方案，用于光伏，电动汽车充电桩，ESS等多个工业应用。
►DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块。适用于1500V光伏系统。实际应用中，通过使用2000V的DF4-19MR20W3M1HF_B11，两电平可以取代三电平的结构，在轻载下，Boost升压效率提高了1%， 而在所有工作条件下，升压效率平均提高了0.5%。它实现了更简单的解决方案，减少了器件的数量，同时提高了功率密度，降低了1500 VDC应用的总系统成本。
► 1200V，17mΩ全桥碳化硅Easy模块（F4-17MR12W1M1H），适用于10-12kW的充电桩应用或者双向隔离转换器。其效率可高达97.5%，并且凭借高频开关减少无源元件的体积，简化安装过程，从而提高提高系统可靠性
► 1200V，11mΩ T型三电平碳化硅Easy模块（F3L11MR12W2M1HP_B19）可实现双向的AC-DC，适用于双向NPC2拓扑以及60kW充电桩的AC-DC部分。
► 1200V，4mΩ半桥碳化硅Easy模块（FF4MR12W2M1H(P)_B11）可以通过并联的方式应用于大功率的应用中，实现更好的均流表现，增加系统的稳定性。
碳化硅Easy模块，根据客户需求不同拓扑和不同芯片的组合，可以量身定制，满足不同的应用需求，器件的Rds(on)介于55毫欧和2毫欧，有多种拓扑结构可选。正因为此，这一系列的产品型号还将不断扩大，以满足市场的需求。
Easy全球化战略
（Easy Modules for the World ）
为满足全球巨大的零碳化需求，以及市场对Easy模块快速增长的需求，英飞凌启动了新策略，全球化扩展生产基地（Easy Modules for the world）。通过构建各地不同的后道工厂产线，贴近区域市场和要求，实现本地化确保提升交付的安全性和稳定性。通过这个策略，英飞凌具备了为各种应用提供更多、更好的Easy碳化硅模块的能力。
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CoolSiC™ MOSFET M1H碳化硅模块命名规则
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