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CoolSiC™ MOSFET 650V G2，
7mΩ，采用TO247和TO247-4封装
CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直流-直流和直流-交流电路及其组合。
产品型号：
■ IMW65R007M2H
■ IMZA65R007M2H
产品特点
优异的性能指标（FOM）
个位数RDS(on）
坚固耐用，整体质量高
灵活的驱动电压范围
支持单电源驱动，VGS（off）=0
避免误开通
.XT技术改进封装互联
应用价值
节省物料清单
最大限度地提高单位成本的系统性能
最高可靠性
实现最高效率和功率密度
易于使用
与现有供应商完全兼容
允许无需风扇或无散热器设计
竞争优势
开关损耗极低
标杆性栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
栅极关断电压为0V，可抵御寄生导通
驱动电压灵活，与正负电源驱动兼容
用于硬换流的坚固体二极管
.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
竞争优势
开关电源(SMPS)
光伏逆变器
储能系统
UPS
电动汽车充电
电机驱动
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■ IMW65R007M2H
■ IMZA65R007M2H
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