大数跨境
0
0

SiC MOSFET芯片并联的关键技术

SiC MOSFET芯片并联的关键技术 英飞凌工业半导体
2024-05-28
1
导读:并联背后的物理原因及解决方案,请点击本文了解更多~

由于SiC MOSFET芯片本身尺寸限制,以及对更高功率等级的追求,SiC 通常采用多芯片并联来提高器件的输出电流能力。由于开关速度很快,并联的两个MOSFET芯片间容易产生开关瞬态振荡,从而可能导致电磁干扰以及电流分配不均问题。并联背后的物理原因及解决方案,请点击以下视频。


▲点击上方视频,即可播放观看



参考阅读


SiC MOSFET模块的硬并联

如何并联CoolSiC™ MOSFET Easy模块(第一部分)

如何并联CoolSiC™ MOSFET Easy模块(第二部分)


扫描上方二维码

欢迎关注微信公众号

【英飞凌工业半导体】

【声明】内容源于网络
0
0
英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
内容 1163
粉丝 0
英飞凌工业半导体 电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
总阅读1.4k
粉丝0
内容1.2k