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第2代CoolSiC™ MOSFET 400V
CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。
产品型号：
■ IMBG40R011M2H
■ IMBG40R015M2H
■ IMBG40R025M2H
■ IMBG40R036M2H
■ IMBG40R045M2H
■ IMT40R011M2H
■ IMT40R015M2H
■ IMT40R025M2H
■ IMT40R036M2H
■ IMT40R045M2H
产品特点
与650V SiC MOSFET相比，FOM更好
低Qfr值的快速换流二极管
RDS(on)温度系数小
栅极阈值电压VGS(th)=4.5V
可以单电源驱动VGSoff=0V
100%经过雪崩测试
开关速度可控性高
高dV/dt运行期间的低过冲
.XT互联技术
一流的热性能
应用价值
系统效率高
高功率密度设计
高设计鲁棒性
减少EMI滤波
在硬开关拓扑中使用
竞争优势
支持采用创新拓扑结构（如3L PFC，ANPC）
与HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)与Tj曲线平坦，100°C时增幅最小
低Qgd,Qoss,fr,Eoss
高压摆率控制、线性Coss和低Qfr
高栅极驱动阈值电压Vth,typ=4.5V实现0V-18V驱动
以及较低的米勒比，以减轻Cgd/Vds/dt引起的寄生导通
竞争优势
AI服务器电源
SMPS
电机控制
轻型电动汽车
叉车
电动飞机
固态断路器
太阳能
能源储存
D类放大器
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