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新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F 英飞凌工业半导体
2024-07-26
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导读:6月份新产品--- 650 V 高速半桥栅极驱动器,具有典型的 0.29 A 源电流和0.7 A灌电流,采用 DSO-8 封装,用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。

新品

650V高速半桥栅极驱动器

2ED2388S06F


650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。


产品型号:

2ED2388S06F


产品特点

工作电压(相对于VS)高达+650V

负VS瞬态抗扰度为100V

集成超快、低电阻自举二极管

90ns传播延迟

最大电源电压为25V


应用价值


集成自举二极管--节省空间,降低BOM成本,更小的PCB,更简单的设计,更低的成本

电平转移损耗降低50%

出色的坚固性和抗噪性,可抵御VS引脚上的瞬态负电压


应用领域


物联网互联智能照明

家用电器

LED照明系统设计

电机控制和驱动器

智能建筑


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【声明】内容源于网络
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英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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