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3300V SiC MOSFET XHP2模块的芯片、封装与应用

3300V SiC MOSFET XHP2模块的芯片、封装与应用 英飞凌工业半导体
2024-08-14
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导读:英飞凌如何在3.3kV的电压等级实现高性能与高可靠性的平衡?

英飞凌的产品一直坚持在高可靠性的前提下实现高性能,英飞凌3300V SiC MOSFET XHP2 系列模块产品中又一次充分体现这点,此系列已经正式量产上市,目前上市的有两款型号,分别是标称电流1000A的FF2000UXTR33T2M1, 以及标称电流750A的FF2600UXTR33T2M1。可能你会奇怪为什么1000A的器件名称会是FF2000…? 答案都在以下视频里!


视频中,英飞凌工程师孙辉波会详细介绍英飞凌在设计该系列产品时,是如何在性能与可靠性两方面平衡与取舍的。


揭秘英飞凌3300V碳化硅MOSFET


产品概述

沟槽栅优势,短路-导通电压-门极稳定性,多方面综合平衡取舍。

芯片技术介绍

.XT具体是什么技术?优势在哪里?可靠在哪里?

封装技术与应用性能介绍

主要应用领域、能为用户系统带来什么实际的好处?



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揭秘英飞凌3300V碳化硅MOSFET

产品概述



02

揭秘英飞凌3300V碳化硅MOSFET

芯片技术介绍


03

揭秘英飞凌3300V碳化硅MOSFET

封装技术与应用性能介绍




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【声明】内容源于网络
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英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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