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新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列

新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列 英飞凌工业半导体
2025-05-21
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导读:新产品:1ED21x7x 是高电压、大电流和高速栅极驱动器,可用于 Si / SiC 功率 MOSFET 和 IGBT 开关。

新品

EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A

高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列


英飞凌的新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。


1ED21x7x是高电压、大电流的高速栅极驱动器,可用于Si/SiC MOSFET和IGBT开关。


设计采用英飞凌的绝缘体上硅(SOI)技术,1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力,能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。


1ED21x7x系列驱动器是轻型电动汽车等多开关并联应用中大电流栅极驱动的理想选择,基于1ED21x7x大电流栅极驱动器的设计,可在一个三相系统中节省多个NPN/PNP管和外部自举二极管。


在其他应用,如图腾柱PFC,电感器过流保护是个设计难点,1ED21x7x提供简单、易于设计的电感器过流保护。


产品型号:

■ 1ED2127S65F

 1ED21271S65F

 1ED2147S65F

 1ED21471S65F


产品特点

英飞凌SOI技术

最大耐压电压+650V

输出源/灌电流+4A/-4A

最大供电电压为25V

集成超快、低RDS(ON)自举二极管

负VS瞬态抗扰度为100V

过流和欠压检测

多功能RCIN/故障/启用(RFE),故障清除时间可编程

传播延迟小于100ns

DSO-8封装

符合标准RoHS

应用价值


无闩锁

负VS瞬态抗扰度为100V

高压尖峰抗扰度

强大的输出功率水平

功能集成在单一器件中

电压和电流监控


竞争优势


系统可靠性高

易于设计的产品

降低系统成本

系统故障保护


应用领域


叉车

LEV

电池分断器

高功率应用

电机驱动器



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电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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