节目详细剖析了碳化硅制造过程中的三大核心技术挑战：
干法刻蚀工艺需要精确控制离子轰击能量来形成微米级沟槽结构；
高温离子注入工艺在1600℃以上的极端条件下完成掺杂原子的激活；
独特的氧化界面处理技术通过氮气钝化显著提升器件可靠性。
英飞凌是业界少数掌握沟槽栅碳化硅MOSFET量产技术的企业之一，其1120晶面沟槽侧壁处理工艺实现了最优电子迁移率。
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正如专家所言："再好的碳化硅芯片，也需要匹配的封装技术才能发挥全部潜力。"下期节目将带您继续探索碳化硅封装的奥秘，敬请期待这场半导体材料的进化之旅。
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