英飞凌大功率应用EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块介绍

英飞凌工业半导体

2025-08-06

导读：英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块，搭载了1200V SiC MOSFET M1H芯片，以高功率密度、高效率及高可靠性的独特优势，成为大功率应用的理

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块，搭载了1200V SiC MOSFET M1H芯片，以高功率密度、高效率及高可靠性的独特优势，成为大功率应用的理想选择，助力工业电源、可再生能源及电动商用车等领域。

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块，具备 175℃过载耐温能力，可在苛刻的高温环境下可靠运行，且具有较高的栅极阈值电压，以减轻寄生导通，从而避免了额外的功率损耗和系统故障，保障工业电源、电动商用车等系统在紧凑设计中实现高效可靠运行，聚焦功率密度优化与热管理升级，助力工业系统迈向更小体积、更高能效的未来。

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