碳化硅SiC第一讲：宽禁带半导体如何重塑能源未来

作为宽禁带半导体，碳化硅凭借更高的击穿场强和优异的导热性，显著提升了高压功率系统的效率和功率密度，成为能源变革的关键推手。英飞凌自2001年率先推出碳化硅功率器件以来，持续引领技术革新，通过降低开关损耗、减少散热需求，助力工业、交通等领域实现更可持续的能源利用。

无论是混合解决方案的平滑过渡，还是纯碳化硅MOSFET的颠覆性性能，这项技术都在重塑能源转换的未来。想深入了解碳化硅如何改变世界？点击视频，探索高效能源的科技密码！