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采用高性能DCB的Easy B系列
CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片，集成NTC温度传感器，PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。目标应用直流-直流变换器，电动汽车充电，光伏和储能系统等。
产品型号：
■ FF6MR20W2M1HB70
■ F3L6MR20W2M1HB70
产品特点
同类最佳封装，高度为12毫米
先进的WBG材料
模块杂散电感极低
栅源电压范围宽
开关和导同损耗低
过载运行温度最高可达175°C
应用价值
提高系统效率
降低冷却要求
实现更高频率
提高功率密度
紧凑型设计
与1500V直流母线完美匹配
竞争优势
扩展2kV产品组合，为客户提供可扩展的解决方案，满足更高的应用要求
新模块配备了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB，有助于延长系统使用寿命和/或支持更高的额定功率
应用领域
直流-直流变换器
电动汽车充电
光伏
储能系统
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