2025 OktoberTech™精彩回顾一： CoolSiC™碳化硅新品发布，性能指标领跑全行业

英飞凌工业半导体

2025-06-17

导读：近日，英飞凌在上海举办的2025 OktoberTech™大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。

近日，英飞凌在上海举办的2025 OktoberTech™大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。本次活动中，英飞凌推出多款CoolSiC™碳化硅重磅新产品，凭借卓越的性能指标和创新封装设计，继续全面领跑半导体行业，为电力电子系统的高效、可靠运行提供了强有力的支持。

2025年CoolSiC™新产品介绍

（请观看视频）

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V：

业内最低开关损耗

TO – 247以及QDPAK封装的1200V CoolSiC™ MOSFET G2系列，开关损耗达到了业内最低水平。同时，门级瞬态电压范围扩大至 - 10 ~ 25V，使得器件能够更好地应对复杂多变的电路环境。200°C的短时过载结温以及2微秒的短路能力，进一步增强了器件在恶劣工况下的耐受能力，确保了设备在极端条件下的安全运行。

CoolSiC™ MOSFET G2 1400V：

适应更高母线电压

1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封装，面对高母线电压应用进行了优化设计，能够轻松适应母线电压大于1000V的场景，该系列产品的功率管脚加粗至2mm，使得器件能够承受更大的电流，背板回流焊的设计，提升了产品的可靠性，为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。

CoolSiC™ Diode G5 1200V & 2000V：

业内最大电流

CoolSiC™ Diode G5 1200V以及2000V系列产品，实现了业内最大电流输出。其中，1200V产品可提供高达150A的电流，2000V产品则能达到80A的电流输出能力，更好地满足了高功率应用场景对大电流的需求。.XT扩散焊创新技术不仅简化了拓扑结构，还显著提高了功率密度，为设备的小型化和轻量化设计提供了可能。

CoolSiC™ MOSFET G2 Easy 1200V

碳化硅模块：全新封装，业内首发

业内首发的1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy模块采用全新封装实现更低的功率损耗，同时，具备更高的工作虚拟结温，支持更长的系统寿命要求，为设备在恶劣环境下的长期稳定运行提供了有力保障。

CoolSiC™ XHP™ 2 2.3kV/3.3kV

碳化硅模块：全球首款

CoolSiC™ XHP™ 2 2.3kV和3.3kV碳化硅模块作为全球首款高电压碳化硅模块产品，集成体二极管，采用XHP™ 2创新封装和.XT银烧结技术，实现了10倍的功率密度提升、10倍的可靠性能加强，以及10倍的节能降耗显著效果，为高压、大功率应用场景提供了更高效、更可靠的解决方案，将推动轨道交通、可再生能源等领域的发展迈向新的高度。

CIPOS™ Maxi 1200V

碳化硅智能功率模块：全球首款

CIPOS™ Maxi 1200V全碳化硅高性能车规智能功率模块作为全球首款车规级同类产品，集成车规级1200V CoolSiC™ MOSFET G2和1200V C5SOI驱动IC，功率输出高达12kW以上。同时，该模块通过AQG324 / AEC-Q认证，可靠性获权威认可，为汽车电力电子系统提供更高效、更可靠的解决方案。