IPAC直播间丨与作者畅聊，解锁PCIM论文技术深意

对于并联SiC MOSFET，存在电流不平衡、热性能差异、过电压等诸多技术难题。本文对不同参数对并联SiC MOSFET电流分担的影响进行了理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真，研究了不同参数对电流共享的影响。最后给出了驱动电路的设计建议和栅极电阻的设计方法。

工商业侧储能正以其经济性，电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载带载能力，谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂（3P4L）变流器具有最强的不平衡负载能力，但对比三相三线（3P3W）系统，成本增加，谐波畸变度更高。SiC MOSFETs由于其优越的材料特性与器件特性，相较IGBT可大幅提升开关频率，本文通过理论分析结合仿真结果说明SiC MOSFETs更加适用于三相四桥臂变流器，是更具性价比的方案选择。

本次解读的论文分析了系统寄生参数对 SIC（碳化硅）器件使用的影响，包括电流过充的原因、系统振荡机理以及对 SIC 器件开关损耗的影响，主要从各开关管和续流二极管的主要影响角度进行分析。强调在系统设计过程中，除了寄生电感对功率器件电压应力的影响外，还需要格外注意系统寄生电容的影响。