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碳化硅播客EP.5 | SiC可靠性测试背后的技术密码

碳化硅播客EP.5 | SiC可靠性测试背后的技术密码 英飞凌工业半导体
2025-06-25
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导读:在最新一期"Podcast for Engineers"播客中,英飞凌碳化硅可靠性专家Paul Salmen为我们揭开了功率半导体可靠性测试的神秘面纱。

在最新一期"Podcast for Engineers"播客中,英飞凌碳化硅可靠性专家Paul Salmen为我们揭开了功率半导体可靠性测试的神秘面纱。从高温高压加速测试到模拟真实工况的应用年限测试,Paul详细讲解了如何通过科学方法将20年的使用寿命验证压缩到短短1000小时内完成。


节目中,Paul还分享了英飞凌如何将可靠性理念贯穿产品全生命周期从采用沟槽MOSFET设计确保栅氧化层质量,到开发.XT互联技术解决牵引应用中的热循环挑战。这些技术创新使得碳化硅器件能够在电动汽车充电、太阳能逆变器等严苛环境下保持长期稳定运行。


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敬请期待下期精彩内容,我们将聚焦"碳化硅的未来发展趋势",为您解析下一代碳化硅技术的关键突破方向。英飞凌技术专家将分享他们对宽禁带半导体技术演进的前瞻洞察。


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电力电子工程师园地,立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
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