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第二代CoolSiC™ MOSFET G2
1400V, TO-247PLUS-4回流焊封装
采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。
第二代1400V CoolSiC™ MOSFET 前沿技术具有前沿性，可显著提升热管理性能、功率密度及系统可靠性。其封装支持回流焊工艺（可承受三次回流焊循环），有助于降低热阻并承载高峰值电流。
产品型号：
■ IMYR140R008M2H
■ IMYR140R019M2H
产品特点
极低的开关损耗
封装背面适用于260°C高温回流焊，且可承受三次焊接过程
最高结温（Tvj）达200°C的过载运行能力
短路耐受时间达2 µs
基准栅极阈值电压VGS(th)为4.2V
抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压
采用.XT 扩散焊技术，实现业界领先的热性能
宽电源引脚（2mm），提供高电流承载能力
可电阻焊管脚，允许母排直连
TO-247PLUS封装，具有10.8mm高爬电距离及CTI≥600V
应用价值
提升功率密度
增大系统输出功率
提高整体效率
增强对瞬态过载、雪崩条件及米勒效应的耐受性
简化针对过流事件的系统设计
易于并联
竞争优势
支持1000V以上电压等级的设计
回流焊组装工艺有助于实现更低热阻
在最高工作电压1000V的应用中：提供充足电压裕度，支持高峰值电流下的更快开关速度
高功率密度有助于缩小系统整体尺寸
应用领域
商用、工程及农用车辆 (CAV)
电动汽车充电设施
储能系统 (ESS)
在线式UPS/工业级不间断电源
组串式逆变器
通用变频驱动器 (GPD)
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IMYR140R008M2H
IMYR140R019M2H
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