背景技术

[0002]在用于制造集成器件的工艺流程中，高级后道工艺(backendofline，BEOL)图案化可以使用小于21nm的金属间距。对于这种高级图案化，边缘放置误差(edgeplacementerror，EPE)是关键，并且需要完全自对准过孔，以确保不同金属层之间的鲁棒连接。然而，可以观察到，当使用深紫外(deepultraviolet，DUV)图案化技术时，没有足够的EPE裕度用于这种高级图案化。这是因为由于固有的技术限制，不可能将EPE裕度缩小到5nm以下。

[0003]除了金属线的缩放之外，BEOL功能中的主要瓶颈之一是过孔图案化及其对准。主要铸造厂已经实现了多个自对准过孔和完全自对准过孔(fullyself‑aligned‑via，FSAV)示例方案，以减轻EPE的限制。所有实现的方案都使用单一硬掩模材料。这些方案可以在5nm节点(金属间距为28nm)下获得良好的结果，但前提是实现了极紫外(extreme ultraviolet，EUV)技术。这是因为采用单一硬掩膜材料来保护相邻的金属线并放宽对EPE的要求。然而，由于在5nm以下很难实现EPE，因此对于小于21nm的金属间距，目前还没有方案。

发明内容

[0004]鉴于以上所述，本公开旨在提供一种改进的金属集成方案，所述方案可用于制造集成器件的工艺流程中。目的是为各种金属间距提供方案，例如，也为21nm以下的金属间距提供方案。另一个目的是解决低于5nm的EPE裕度的情况。